Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників
Дослідження симетрійних та структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів. Відклик кристальних структур на зовнішні збурення (деформації та дефекти). Симетрійні аспекти формування зонного спектру кристалу.
Подобные документы
Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження кристалічної та енергетичної структури кристалу In2Se3. Одержання послідовностей енергетичних станів, які формують валентну зону в наближенні порожньої гратки. Визначення актуальних позицій Викоффа. Першопринципні розрахунки зонного спектру.
дипломная работа, добавлен 25.10.2011Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Динаміка зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів, вплив на неї структурних змін обумовлених інтеркаляцією та змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт-матриця. Прогнозування немонотонної зміни інтенсивності піку.
статья, добавлен 25.03.2016Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Зв’язок змін фізичних властивостей перехідних металів та сплавів на їх основі під впливом зовнішніх факторів з особливостями електронного спектру. Вплив зміни динаміки руху електронів при електронно-топологічних переходах на кінетичні характеристики.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження впливу плоских дефектів на динамічні характеристики сильно анізотропних шаруватих кристалів, вивчення особливостей локалізації коливань у складних багатошарових сполуках. З’ясування особливостей фононних спектрів складних шаруватих систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Побудова теорії енергетичних спектрів електронів, дірок і оптичних інтерфейсних та обмежених фононів у складних еліптичних квантових дротах. Складні еліптичні квантові дроти, розташовані у масивних напівпровідникових і діелектричних середовищах.
автореферат, добавлен 14.09.2014Теорія енергетичного спектру електрона, дірки у закритій наногетеросистемі, розрахунок хвильових функцій у напівпровідниковій шестигранній нанотрубці. Поляризаційні коливання з аксіальною симетрією, взаємодія з обмеженими та інтерфейсними фононами.
автореферат, добавлен 14.09.2014Формування вимог до створюваних первинних перетворювачів та дослідження характеристики існуючих фотодіодів на основі кремнію, вимірювання енергетичних характеристик оптичного випромінення. Лінійність енергетичних характеристик в діапазоні освітленостей.
статья, добавлен 29.07.2016Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження змін електронного спектру в кластерному наближенні кристалів CuInSe2, спричинених заміною в ньому атомом In атомів Ga та Al. Теорія перенормування потенціалу частки багатокомпонентного кристалу при переході до кластера. Ефект Яна-Теллера.
автореферат, добавлен 31.01.2014Особливості дефектної структури CdS та їхньої кристалічної ґратки при збудженні електронної підсистеми. Методики експериментальних досліджень монокристалічних зразків. Аномальна емісія електронів з поверхні кристалів CdS та вплив зовнішніх факторів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014Проведення розділення коливань за типами симетрії, використовуючи метод класифікації коливних мод в надпросторовому підході. Отримання розкладу повного коливного зображення досліджуваного кристалу Hg3Te2Cl2 та його розклади по незвідних зображеннях.
статья, добавлен 27.12.2016Симетрійний опис структури валентної зони надґраток (GaAs)N/(AlAs)N та (Si)M/(Ge)M у концепції мінімальних комплексів зон. Метод обвідної функції для одержання мінізонного спектру надґраток з довільною просторовою залежністю матеріальних параметрів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Аналіз спектроскопічних проявів наявності в будові кристалічних сполук пірамідальних структурних елементів XY3 та їх ускладнених модифікацій. Інтерпретація спектру комбінаційного розсіяння та інфрачервоного поглинання світла в сполуках йодату літію.
автореферат, добавлен 23.11.2013Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Одержання ортонормованого функціонального базису, придатного для будь-яких мiжатомних відстаней у конденсованої системі. Розробка теорії розрахунку енергетичного спектру і енергії кристалу, позбавленої наближень, що не контролюються при високих тисках.
автореферат, добавлен 31.01.2014Визначення часових меж процесів, що відбуваються під час нагрівання кристалів у відновлювальній атмосфері і після зміни атмосфери відпалу. Вплив атмосфери відпалу на складові кристалів LiNbO3, кореляція змін структурних і оптичних властивостей.
автореферат, добавлен 12.07.2015Характеристики та властивості фотонних кристалів, їх значення для науки і практики. Дослідження методів отримання оптичної лауеграми фотонного кристалу. Практичне визначення періоду ґратки фотонного кристалу за його оптичною лауеграмою різними методами.
реферат, добавлен 24.11.2014