Формування акцепторної зони дефектами і домішками в кристалах вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe
Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
Подобные документы
Вивчення кореляційного взаємозв'язку між магнітними властивостями кристалів і ефективною валентністю рідкісноземельного іону. Порядок формування електронних транспортних властивостей твердих розчинів на основі потрійних сполук європію та ітербію.
автореферат, добавлен 12.02.2014Напівпровідники, пов’язані із створенням DX-подібних центрів при легуванні кристалів домішками із змінною валентністю. Розробка технології одержання та дослідження фізичних властивостей багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцю.
автореферат, добавлен 24.02.2014Процесс токопереноса в теории неупорядоченных конденсированных систем на примере пленочных структур In2O3-ZnSe-In, In2O3-ZnSe-(Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3)y-In. Процессы вакуумной конденсации пленок твердых растворов (Zn1-xCdxTe), (Zn1-xCdxTe)1-y(In2Te3).
автореферат, добавлен 15.02.2018Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
автореферат, добавлен 27.02.2014Експериментальне вивчення "недозволеної" доменної структури та оптичних властивостей твердих розчинів K2Cd2xMn2(1-x)(SO4)3. Поляризаційні дослідження сегнетоеластичної фази кристалів. Оцінка фізичної ролі області парафази в структурі доменної стінки.
автореферат, добавлен 25.02.2014Дослідження швидкості й затухання гіперзвуку для кристалографічних напрямків. Спектроскопічний аналіз методом Мандельштама-Бріллюена фотосегнетонапівпровідникових халькогенідних твердих розчинів. Вивчення анізотропії їх пружних властивостей кристалів.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Розробка теоретичної та експериментальної бази для проведення досліджень квантових кристалів за умов наднизьких температур. Дослідження особливостей кінетичних процесів, що відбуваються в квантових кристалах в період ізотопічних фазових переходів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Встановлення характерних особливостей дефектної структури кристалів, обумовлених істотно нерівноважними умовами їх росту й екстремальними зовнішніми впливами. Математичне моделювання пружних коливань і характеристик діелектричної релаксації кристалів.
автореферат, добавлен 30.08.2014Опис електронних кореляцій в рамках моделі Габбарда та пояснення особливостей фізичних властивостей кристалів з вузькими зонами провідності. Перехід метал-діелектрику в парамагнітній фазі, побудова його фазової діаграми в координатах тиск-температура.
автореферат, добавлен 12.02.2014- 16. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Дослідження з метою виявлення електрооптичних властивостей композитів ліотропних іонних рідких кристалів та віологену і встановлення зв’язку між цими властивостями. Аналіз голографічного запису динамічних ґраток на забарвлених зразках композитів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Виявлено типові для неоднорідних кристалів особливості їх фотоелектричних характеристик, зокрема неоднорідний розподіл і різке зменшення фоточутливості в температурному діапазоні домішкової провідності та зміна нахилів люкс-амперних характеристик.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вимірювання ЕПР спектрів у температурній області фазових переходів досліджуваних кристалів. Характер зв'язку локального кристалічного поля з параметром порядку переходу. Модернізація модуля вимірювального комплексу на базі ЕПР радіоспектрометра Radiopan.
автореферат, добавлен 22.04.2014Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення природи фазового переходу в кристалах слабкого сегнетоелектрика гептагерманата літію (LGO). Процеси поляризації в кристалах LGO. Вплив зовнішніх факторів на поведінку діелектричної проникності в районі температури фазового переходу.
автореферат, добавлен 29.08.2013Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Основний механізм формування іонного травлення джерел дифузії ртуті. Проведення технологічних операцій виготовлення фотодіодів. Аналіз виду провідності з легованими акцепторними домішками. Характеристика електричних параметрів конвертованих шарів.
автореферат, добавлен 14.09.2014Встановлення оптимальних умов отримання діркової провідності у кристалах селеніду цинку при їх легуванні елементами І та V груп. Комплексне дослідження основних фізичних властивостей виготовлених зразків та вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014