Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами
Дослідження впливу дії високоенергетичних електронів на електрофізичні параметри мікрокристалів арсеніду індію. Математичне моделювання фізико-хімічних процесів легування напівпровідникових мікрокристалів в процесі їх вирощування донорною домішкою оловом.
Подобные документы
Дослідження особливостей збудження іонів індію повільними електронами. Визначення впливу релятивістських і резонансних ефектів на механізми збудження. Аналіз ефективних перерізів електронного збудження спектральних ліній іонів у межах підгрупи алюмінію.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Розгляд утворення активованих барійвмісних мікрокристалів, вкраплених у матриці CsI. Вивчення механізму трансформації високоенергетичних збуджень у системі CsI-BaCl2(1 мол.%)-EuCl3(0,02 мол.%). Аналіз спектрально-люмінесцентних властивостей кристалів.
статья, добавлен 27.12.2016Аналіз процесів фазової взаємодії в системі In-Ga-Se-O та окислення сполук цієї системи. Розгляд стійкості при термообробці на повітрі півтораселеніду індію і галію в напівпровідниковій системі та їх кристалізація з утворенням моноклінної b-модифікації.
автореферат, добавлен 27.02.2014Встановлення впливу концентрації і хімічної природи впроваджених іонів між шарами халькогенідів індію, галію, вісмуту, титану на термодинамічні і кінетичні параметри процесу інтеркаляції, фазовий склад інтеркальованих сполук і положення в них рівня Фермі.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження впливу співвідношення компонентів у системі на тип фізико-хімічних процесів модифікації складу приповерневих шарів напівпровідника. Аналіз дифузії компонентів та визначення змін у складі газової фази при збільшенні вмісту атомарного водню.
автореферат, добавлен 31.01.2014Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Структурний стан матеріалів і прогнозування зміни їх властивостей під впливом іонізуючого випромінювання. Конструкційні матеріали корпусу та активні зони ядерних реакторів. Застосування ізоляційних та конструкційних елементів у ядерній енергетиці.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження властивості пари електронів у випадку, коли параметри одночастинкових станів прямують один до одного. Енергія кулонівської взаємодії між когерентними електронами. Ймовірності поглинання фотона парою та вільними когерентними електронами.
автореферат, добавлен 26.08.2014Вивчення впливу легування кремнію ізовалентною домішкою олова. Процеси утворення і відпалу радіаційних і термічних дефектів. Теорія кінетики утворення термодонорів. Електрофізичні властивості кремнію при обробці. Оцінка носіїв струму при опроміненні.
автореферат, добавлен 12.02.2014Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик при низьких температурах в полях з індукцією до 14 Тл. Наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза в поперечному і в поздовжньому магнітоопорі.
статья, добавлен 29.09.2016Розгляд та характеристика математичних моделей процесів, що визначають форму кривих виживаності клітин, опромінених фотонним іонізуючим випромінюванням. Побудова математичної моделі кінетики однониткових розривів ДНК у процесі опромінення і після нього.
автореферат, добавлен 02.08.2014Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
автореферат, добавлен 10.01.2014Методика розрахунку зонної структури та встановлення повної діаграми дисперсії енергетичних зон. Визначення рівноважних параметрів основного стану та атомних показників броміду індію. Аналіз спектрів діелектричних функцій експериментальних оптимумів.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
статья, добавлен 07.12.2016Встановлення основних закономірностей впливу технологічних режимів напилення і температурної обробки на фізичні параметри та оптичні характеристики (питомий опір) твердих розчинів диселеніду індію та галію, а також прозорих провідних оксидів металів.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вплив товщини мікрокристалів на просторову неоднорідність параметра порядку. Неоднорідні структури в моделі з інваріантом Ліфшиця, без використання наближення постійної амплітуди. Механічні напруження, які змінюють просторову поведінку амплітуди.
статья, добавлен 10.12.2016Взаємозв'язок інтегральних характеристик динамічного розсіяння Х-променів, температурних спектрів поглинання пружної енергії зі змінами дефектної структури опромінених монокристалів кремнію високоенергетичними електронами в процесі природного старіння.
автореферат, добавлен 06.07.2014Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014Створення композиційних мікрокристалів типу "безсрібне ядро - галогенсрібна оболонка". Оцінка умов, при яких на ядра нарощується тонка світлочутлива оболонка. Розробка методу обробки тривимірних проникних голограм з гетерофазними нанокристалами.
автореферат, добавлен 27.02.2014- 25. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015