Твердотельная электроника
Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
Подобные документы
Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009- 2. Тиристор
Определение тиристора. Виды тиристоров, их классификация по способу управления и проводимости. Характеристика тиристора и его схема. Вольт-амперная характеристика. Отличия тиристора от диода. Достоинства и недостатки. Углы управления тиристорами.
презентация, добавлен 30.11.2023 Основные виды пробоев: электрический (туннельный и лавинный) и тепловой, вольтамперная характеристика p-n перехода. Определение барьерной и диффузной емкостей. Классификация диодов по типу материала, физической природе процессов, назначению и др.
презентация, добавлен 29.08.2015Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Изучение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Исследование волновых функций по уравнению Шрёдингера. Вычисление коэффициента прозрачности для микрочастиц. Вольт-амперная характеристика туннельного тока. Определение уровня Ферми.
курсовая работа, добавлен 04.06.2014Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Принцип действия биполярного транзистора. Процесс рассмотрения составляющих тока п-р-п типа. Необходимость использования усилителей по напряжению. Выходные характеристики ВАХ на коллекторе. Сущность режима насыщения, его основные задачи, принцип расчета.
лекция, добавлен 29.10.2013Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Электрический пробой как лавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки. Вольтамперная характеристика электрического пробоя p-n перехода.
лабораторная работа, добавлен 23.12.2015Изучение сути и назначения управляемых напряжением полупроводниковых конденсаторов переменной емкости. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики варикапа и мгновенное напряжение на варикапе. Схема включения варикапа в колебательный контур генератора.
реферат, добавлен 20.05.2013Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.
реферат, добавлен 05.11.2017- 19. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Принцип работы, основные параметры, вольт-амперная характеристика тиристора. Однофазный однополупериодный выпрямитель на тиристоре: схема электрическая функциональная и временные диаграммы работы при разных величинах угла. Схема управления тиристором.
лекция, добавлен 02.08.2013Проведение исследования характеристик фотодиода: вольт-амперной характеристики, коэффициента полезного действия. Физические основы внутреннего фотоэффекта. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 15.03.2021Свойства лазерного излучения и его преимущество по сравнению с другими источниками света. Устройство рубинового лазера. Классификация лазеров и их характеристики. Принцип работы твёрдотелых, полупроводниковых, жидкостных и ультрафиолетовых лазеров.
реферат, добавлен 02.05.2012Изучение электронного конструктора "Знаток" и внедрение его в лабораторную работу. ВАХ (вольт-амперные характеристики) светодиодов, вольт-амперные характеристики по измеренным значениям I и U, расчет сопротивления резистора, гальванического элемента.
статья, добавлен 20.04.2019Исследование методологии курса физики, современного естествознания; эффективных практических методов освоения отдельных тем на примере разработки лабораторной работы по теме "Вольт-амперные характеристики светодиодов" с помощью конструктора "Знаток".
статья, добавлен 20.04.2019Принцип действия и область применения лазеров. Уникальные свойства лазерного луча, многообразие конструкций современных лазеров. Основные области применения лазерной техники. Использование лазеров в информационных технологиях, промышленности и медицине.
реферат, добавлен 03.03.2012