Разработка топологии гибридно-интегральной микросхемы
Требования к тонкопленочным резисторам и конденсаторам, особенности и исходные данные для их расчета. Подбор навесных компонентов. Расчет площади подложки. Выбор материала диэлектрика. Бескорпусные аналоги транзисторов. Принципиальная электрическая схема.
Подобные документы
Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Назначение корпуса интегральной микросхемы (ИМС). Выводы корпусов ИМС, особенности их монтажа. Схема размещения корпусов ИМС на печатной плате, ее зависимость от конструкции платы и компоновки на ней элементов. Бескорпусные и корпусные микросхемы.
отчет по практике, добавлен 19.12.2016Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS". Топологии микросхемы, расчет геометрических размеров элементов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Определение геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой тонкопленочным резисторам на подложке. Электрофизические параметры обеспечения микросхем. Оценка преимуществ ситаллов перед стеклами. Техпроцессы фотолитографии и скрайбирования.
реферат, добавлен 06.03.2014Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Расчет элементов принципиальной схемы и амплитудно-частотной характеристики усилителя. Выбор навесных и пленочных элементов. Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Устройство для оперативной проверки работоспособности интегральной микросхемы (ИМС) по принципу "годен" - "не годен". Микропроцессорный контроллер для тестирования ИМС. Выбор микропроцессора и элементов схемы. Подпрограмма тестирования микросхемы.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Технические требования на разработку схемы устройства тревожной сигнализации. Структурная электрическая схема и её описание. Принципиальная электрическая схема и её описание. Расчёт параметров и выбор элементов. Перечень элементов и их характеристика.
реферат, добавлен 29.10.2014Характеристика управляющей и силовой частей детекторного приемника, его электрическая принципиальная схема. Расчет элементов микросборки, основные параметры тонкопленочных резисторов, разработка топологии, конструкции и способы охлаждения системы.
контрольная работа, добавлен 28.04.2011Определение мощности нагрузки выпрямителя. Расчет активного сопротивления трансформатора. Выбор типа вентилей для однофазной мостовой схемы выпрямления. Расчет нагрузочной характеристики. Принципиальная электрическая схема, нагрузочная схема выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 28.01.2018Особенности асинхронных счетчиков и разработка алгоритма работы микросхемы (описание и блок-схема). Временные диаграммы работы микросхемы и функциональная схема устройства. Условно-графическое обозначение и технические характеристики микросхемы.
реферат, добавлен 18.12.2014Разработка синхронной схемы и триггерного устройства. Схема счетчика реализованного на Т–триггерах. Листинг программы работы схемы на языке С++. Проектирование интегральной микросхемы, выполняющей заданные функции преобразования цифровой информации.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Описание технологии изготовления микросхемы операционного усилителя. Цоколевка, электрическая схема, электрические параметры и предельно допустимые режимы эксплуатации микросхемы. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 22.03.2018Конструирование тонкопленочных резисторов. Расчет тонкопленочных конденсаторов и проводников. Выбор навесных элементов. Определение площади платы и ее размера. Схема размещения плат на подложке. Электрофизические и механические характеристики ситалла.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Структурная электрическая схема устройства. Выбор электромагнитного реле. Технические характеристики этого блока. Выбор триггера Шмита. Выбор датчика температуры. Принцип работы схемы, особенности ее расчета. Описание термореле, сфера его применения.
контрольная работа, добавлен 20.01.2015Методы нанесения слоя фоторезиста на подложки микросхемы. Схема удаления и проявления фоторезиста. Нанесение слоя оксида кремния SiO2 в качестве межуровнего диэлектрика и низкотемпературного фосфоросиликатного стекла. Контроль блока металлизации.
контрольная работа, добавлен 25.06.2016Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.
курсовая работа, добавлен 18.03.2020Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Анализ схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора элементов схемы: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Техника безопасности при эксплуатации электронной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 15.07.2009Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014