Електронно-дірковий перехід
Конструкція, основні види польових транзисторів. Залежність електропровідності напівпровідників від виду домішок. Фізичні процеси в електронно-дірковому переході. ЕДП при зворотньому вмиканні зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу.
Подобные документы
- 1. P-i-n-діод
Фізичні явища в перемикаючих p-i-n-діодах та їх вольт-амперна характеристика. Перехідні процеси при подачі прямого зміщення та при його перемиканні до зворотного. Структура швидкодіючого діода та вимоги до параметрів напівпровідникового матеріалу.
курсовая работа, добавлен 23.01.2011 Фотоелектричні прилади на основі внутрішнього фотоефекту. Процес генерації вільних носіїв заряду. Довжина хвилі електромагнітного випромінювання. Вольт-амперна характеристика звичайного p-n-переходу. Відсутність вхідного сигналу на базі транзистора.
контрольная работа, добавлен 12.05.2016Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015- 4. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Загальна характеристика устрою польових транзисторів із горизонтальною і вертикальною структурами. Принципова схема резонансного генератора із зовнішнім збудженням на транзисторі. Розрахунок параметрів режиму стокового ланцюга на робочих частотах.
контрольная работа, добавлен 27.03.2011Методика моделювання, шумові і нелінійні моделі субмікронних польових транзисторів з бар’єром Шотткі. Рівняння нестаціонарних ефектів дрейфу носіїв заряду. Моделювання гетеробіполярних транзисторів. Розрахунок відрізків мікрохвильових ліній передачі.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току та формули їхнього розрахунку. Основні фізичні характеристики, параметри та основні типи фотоприймачів. Застосування і перспективи фотоприймачів у різних галузях побуту та виробництва.
реферат, добавлен 05.06.2009Методи визначення статичного опору для прямого, зворотного напряму напівпровідникового діода при різних значеннях прикладеної напруги. Формула для розрахунку динамічного опору даного електронного елементу в певній точці вольт-амперної характеристики.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Радіаційна деградація та стійкість світловипромінюючих структур. Зв'язок випромінювальної компоненти струму з лінійним розподілом активаторів люмінесценції. Вольт-амперна характеристика моделі з безвипромінювальною рекомбінацією імпульсу нейтронів.
статья, добавлен 13.02.2016Наведення алгоритму SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Значення опорної напруги.
статья, добавлен 29.09.2016Розрахунок аналітичної залежності миттєвих значень напруги від параметрів еквівалентної схеми резистивно-зашунтованого переходу Джозефсона. Знаходження часової залежності періоду коливань від шунтуючого опору для структури із трьох переходів Джозефсона.
статья, добавлен 27.07.2016Вибір типу транзисторів та схеми їх включення. Характеристика режимів роботи по постійному та змінному струму. Визначення коефіцієнта нелінійних спотворень вхідного сигналу та напруги джерела живлення підсилювача. Електричний розрахунок трансформатора.
курсовая работа, добавлен 13.11.2017Види топології метал-діелектрик-напівпровідник транзисторів в цифрових та аналогових інтегральних схемах. Практичне дослідження основних параметрів транзисторів і транзисторних ключів. Геометричні розміри областей витоку, стоку і затвору транзистора.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Розгляд теорії щілинних антен складної форми. Характеристики польових та біполярних транзисторів. Розроблення генераторів у діапазоні сантиметрових та міліметрових довжин хвиль. Використання об’ємних хвилеводів, резонаторів та квазіоптичних конструкцій.
автореферат, добавлен 29.07.2014Основні параметри і властивості германієвих і кремнієвих діодів та дослідження їх вольт-амперних характеристик. Напівпровідниковий діод як електроперетворюючий напівпровідниковий прилад з дірково-слектронним переходом і двома металевими виводами.
учебное пособие, добавлен 04.11.2015Аналіз шумових характеристик сучасних надвисокочастотних польових транзисторів та шляхів їх оптимального використання у підсилювальних пристроях дециметрового діапазону електромагнітних хвиль. Методи зниження шумової температури підсилювачів до 10 К.
автореферат, добавлен 28.07.2014Методика та техніка експерименту: стандартна вакуумна установка ВУП-5М, метод термічного випарування, човники з молібденової фольги, диференційна хромель-алюмелева термопара. Електронно-мікроскопічні дослідження. Експериментальні результати.
статья, добавлен 30.10.2010Дистанційне зондування навколишнього середовища. Представлення феноменологічної моделі магнетрона. Апроксимація вольтфарадних характеристик високовольтних польових транзисторів. Конструювання передавачів і доплерівських метеорологічних радіолокаторів.
автореферат, добавлен 12.08.2014Розкласти в тригонометричний ряд періодичну функцію напруги, що виражена кривою симетрично відносно точки переходу через нуль та розкласти функцію, що виражається кривою періодичного імпульсу напруги постійної амплітуди Um тривалістю tі та періодом Т.
курсовая работа, добавлен 27.10.2022Визначення поняття та значення автомобільного адаптера. Розгляд принципу роботи схеми пристрою. Вибір і обґрунтування мікросхеми стабілізатора напруги, транзисторів. Проектування печатної плати. Розрахунок надійності виробу. Оформлення маршрутних карт.
курсовая работа, добавлен 30.08.2014Мікропроцесор або мікроконтролер як серце кожної електронно-обчислювальної машини, їх структура. Блок-схема таймера/лічильника, принцип роботи даного пристрою та його функціональні особливості. Класифікація та різновиди, головні та додаткові компоненти.
реферат, добавлен 25.12.2014Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015