Температурні зміни енергії електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини та складу бар’єрного матеріалу

Розрахунок на основі моделі прямокутної квантової ями скінченної глибини, температурної залежності енергії дна основної мінізони електрона в наноплівках AlxGa1–xAs / GaAs / AlxGa1–xAs різної товщини з різною концентрацією бар’єрного наноматеріалу.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.