Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки
Дослідження закономірностей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих та компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Умови експлуатації мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.
Подобные документы
Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Фізична модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Експериментальне дослідження особливостей конденсаційно-стимульованої і термодифузії у двошарових плівках. Визначення закономірностей при формуванні структурно-фазового стану і електрофізичних властивостей двошарових плівок на основі Ni і Fe та Cr і Fe.
автореферат, добавлен 28.08.2015Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Основи фізики напівпровідникових приладів. Атомна фізика та квантова механіка. Класифікація твердих тіл за структурою, хімічним зв'язком та провідністю. Зонна діаграма напівпровідника. Принципи роботи діодів та фізичні основи роботи транзисторів.
методичка, добавлен 24.06.2014Фазовий склад, структурний стан поверхні, особливості дифузійних процесів та електрофізичні властивості дво- та тришарових плівок на основі Cr, Cu і Sc (Со), їх аналіз. Моделювання термо- та тензорезистивних властивостей тришарових плівкових систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Теоретичне дослідження та аналіз температурної залежності питомого опору і температурного коефіцієнта опору двошарових плівок Ni/Cr, Ti/Cu та Al/Ni як у процесі термостабілізації електрофізичних властивостей, так і після завершення твердофазних реакцій.
статья, добавлен 26.10.2010Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
курсовая работа, добавлен 16.03.2016Фізичні основи промислово-перспективних технологій виготовлення робочих плівкових елементів різного функціонального призначення з підвищеною електропровідністю, відтворюваністю властивостей і надійністю. Умови дифузійного формування нанорозмірних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Опис принципу дії плитки зі східчастим регулюванням температури, приладів для кип'ятіння води, опалювальних приладів, стаціонарних кухонних плит. Особливості під’єднання побутових приладів до мережі. Принципи автоматичного регулювання температури праски.
реферат, добавлен 18.02.2011Фазовий склад і кристалічна будова плівок алюмінію, дослідження їх структурних характеристик і температурної залежності від електрофізичних властивостей. Розрахунок параметрів електроперенесення за лінеарізованою та ізотропною моделями Ательє і Тоссе.
статья, добавлен 23.10.2010Закономірності формування структурно-фазового складу і електрофізичних властивостей двошарових плівок на основі Nі і V, Cr, Co. Розрахунок ефективних коефіцієнтів взаємної дифузії атомів у процесі зерномежової конденсаційно-стимульованої і термодифузії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Систематичне експериментальне вивчення змін складу, структури та властивостей плівок систем Zr-B та V-B. Оцінювання умови формування та зростання конденсатів, які отримують за допомогою систем ІПР. Осадження високотвердих наноструктурних плівок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей органічних полімерних матеріалів для фоточутливих та світловипромінюючих середовищ. Встановлення критеріїв вибору компонентів композиції та створення функціональних середовищ. Отримання полімерних плівок.
автореферат, добавлен 06.07.2014Гальваномагнітні дослідження фізичних властивостей перспективних матеріалів для інфрачервоної оптоелектроніки і спінової електроніки. Аналіз температурних і польових залежності ефекту Холла, питомого опору та намагніченості в феромагнітних розчинах.
автореферат, добавлен 29.09.2015Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Принцип дії приладів магнітоелектричної системи - дія магнітного поля постійного магніту на рухому котушку, по якій протікає струм. Будова та принципи робити приладу електромагнітної системи. Функціональні особливості та можливості теплових приладів.
реферат, добавлен 12.12.2013Аналіз ролі технологічних факторів у формуванні підсистеми власних точкових дефектів і електрофізичних властивостей плівок PbTe, PbS і PbSe. Процеси дефектоутворення і зміни дефектної підсистеми і електрофізичних властивостей плівок халькогенідів свинцю.
автореферат, добавлен 22.07.2014Фактори, які впливають на структуру та основні фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, отриманих реактивним магнетронним розпиленням. Застосування плівок в якості дифузійних бар’єрів в системах металізації до напівпровідникових сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015