Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
Основы технологии выращивания монокристаллов кремния в виде полых цилиндров из расплава без формообразователя. Расчёт процессов теплопереноса в системе "полый цилиндрический кристалл-расплав" в процессе роста и в элементах конструкции теплового узла.
Подобные документы
- 1. Информационные технологии управления качеством процесса выращивания монокристаллов полупроводников
Изучение комплекса информационных технологий, обеспечивающих мониторинг процесса выращивания монокристаллов, поддержку принятия решений по коррекции режима выращивания, а также оптимизацию геометрических параметров теплового экрана ростовой установки.
статья, добавлен 22.03.2016 Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
автореферат, добавлен 26.07.2018Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016Схема системы управления и конструкция теплового узла лабораторной установки для выращивания галоидных кристаллов методом направленной кристаллизации в гарнисаже. Применение кристаллических материалов. Спектр поглощения и пропускания образцов кристаллов.
статья, добавлен 29.01.2016Процесс тепломассопереноса в установке по выращиванию монокристаллов германия, включающей основной и дополнительный нагреватель. Распределение температуры в тепловом узле установки при различной мощности экрана-нагревателя. Схема теплового узла.
статья, добавлен 29.01.2017Конструирование ограждений печи. Расчет вертикальной стены над и под уровнем расплава, свода, подины. Определение параметров процесса сжигания топлива. Составление теплового баланса. Этапы вычисления основных параметров сожигательного устройства.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Результаты моделирования изгибных возмущений струй расплава в бассейне охладителя и распада струй на капли. Растекание расплава кориума в подреакторном бассейне с водой. Разработка методов улучшения систем пассивной защиты от тяжелых аварий на АЭС.
статья, добавлен 24.09.2013Оптические характеристики объемных и наноразмерных кристаллов. Методы выращивания кристаллов и получение полупроводниковых монокристаллов. Устройство сцинтилляционного болометра. Оптическое поглощение селенида цинка в зависимости от атмосферы отжига.
курсовая работа, добавлен 19.11.2011Конструирование ограждений печи. Температура наружной поверхности рабочего слоя. Расчет вертикальной стены над уровнем расплава. Процесс сжигания топлива. Плотность теплового потока, переносимого через сконструированную стенку в окружающую среду.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Методы кристаллизационной очистки в технологии очистки полупроводниковых материалов и металлов. Методы выращивания монокристаллов из расплавов. Метод Вернейля и Чохральского. Расчет кристаллизационной очистки в бинарных системах полупроводник-примесь.
курсовая работа, добавлен 01.01.2014Отраслевой фонд алгоритмов и программ для расчета ядерных реакторов. Построение матрицы верификации, ориентированной на явления в УЛР. Расчетный код, количественно описывающий поведение устройства локализации расплава на стадии удержания и охлаждения.
статья, добавлен 19.11.2018Разработка метода лазерного структурирования монокристаллического кремния, основанного на самоорганизации поверхности и возникновении спонтанно упорядоченных структур. Формирование в расплаве кремния волнообразных, концентрических, пирамидальных структур.
статья, добавлен 30.01.2018Исследование особенностей фотоэлементов на основе аморфного кремния, кристаллических пленок кремния, органических материалов и на красителях. Электрические свойства поликристаллического кремния. Способы производства поликристаллических пленок кремния.
реферат, добавлен 13.04.2014Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
курс лекций, добавлен 27.01.2013Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
курсовая работа, добавлен 07.06.2011Изучение химического состава базальтовых пород Абширатинского месторождения, базальтового расплава и его волокон, полученных в электродуговой печи. Анализ слоев расплавленной горной породы: легкоплавкого, базальтового волокна и металлических осадков.
научная работа, добавлен 14.03.2011Изучение картины пластической деформации. Анализ деформационного упрочнения металлических монокристаллов. Описание монокристаллов металлов с гексагональной плотноупакованной решеткой. Пластическая деформация и деформационное упрочнение поликристаллов.
реферат, добавлен 14.01.2015Изучение результатов по получению двумерных структур макропористого кремния. Исследование фотофизических процессов в нанопокритии элемента. Проводимость и поглощение спектра макропористого кремния. Функциональные возможности болометрического материала.
статья, добавлен 18.03.2014Изготовление тепловых интерференционных фильтров на основе слоев двуокиси гафния с показателем преломления n = 2,0 и двуокиси кремния с n = 1,45. Разработка фильтров с высоким пропусканием в видимой области спектра за счет использования слоев кремния.
творческая работа, добавлен 30.11.2018Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Механические свойства нитевидных кристаллов кремния и германия при внешних воздействиях и методы их изучения. Создание миниатюрных и высокопрочных тензорезисторов. Определение возможностей их применения. Пластическая деформация нитевидных кристаллов.
статья, добавлен 04.12.2018Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Рассмотрена УЛР ЛАЭС-2 - ловушка тигельного типа, размещаемая в подреакторном пространстве бетонной шахты и предназначенная для приема и захолаживания расплава активной зоны. Способы повышения безопасности при тяжелых авариях на атомных электростанциях.
статья, добавлен 15.01.2019Анализ результатов теоретического исследования влияния дисперсности модификатора при вермикуляризирующей обработке расплава чугуна в реакционной камере литейной формы. Определение условий математической постановки данной задачи для плоского кристалла.
статья, добавлен 27.05.2018