Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі
Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
Подобные документы
Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
статья, добавлен 27.07.2016Аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання.
статья, добавлен 27.02.2016Адаптація засобів відновлення вихідних імпульсних потоків дозиметричних детекторів до вирішення задач створення широкодіапазонних дозиметричних пристроїв. Оцінка їх характеристик при двоканальному способі вимірювання потужності експозиційної дози.
автореферат, добавлен 27.08.2015Дослідження і аналіз просторової анізотропії лінійного електрооптичного ефекту на прикладі кристалів ніобату літію. Визначення ефективних величин абсолютного електрооптичного коефіцієнта інтерферометричним методом, електроіндукованої зміни двозаломлення.
статья, добавлен 29.09.2016Склад шихти і технологія спікання для отримання підкладок з високою теплопровідністю. Взаємозв’язок між еволюцією мікроструктури та процесами електропереносу в обраних композитах під впливом типу модифікуючих домішок і технологічних умов отримання.
автореферат, добавлен 02.10.2018Вивчення процедури введення вхідних даних та отримання результатів обробки персональним комп'ютером цих даних. Використання клавіатури в якості пристрою введення текстової інформації. Принцип дії пристроїв введення графічної інформації та звуку.
реферат, добавлен 10.03.2016Класифікація (радіокристалічні, іонні, дипольні), основні властивості та технічні характеристики сегнетоелектриків. Мікроскопічний механізм спонтанної поляризації, застосування оптичних кристалів та п'єзоелектричних перетворювачів в електроніці.
реферат, добавлен 08.11.2015Розробка двох пристроїв, дослідження принципів їх роботи та проведення експериментальних випробувань щодо визначення технічних характеристик. Порівняльний аналіз пристроїв, їх переваги і недоліки. Методи виявлення та захисту від закладних пристроїв.
статья, добавлен 30.07.2016Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Розробка рідкокристалічних оптоелектронних пристроїв для координатного переміщення оптичного випромінювання. Текстурний та фазовий перехід в рідких кристалах. Розкручування гелікоїда за наявності температурного градієнта, електричного і магнітного полів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розробка фізико-хімічних основ технології створення та функціональної діагностики кристалів і структур (приладів) для реєстрації та перетворення енергії інфрачервоного випромінювання на базі напівпровідникових сполук і вузькощілинних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Аналіз моделювання електричних схем оптоелектронних логічних вентилів і пристроїв на їх основі. Особливість вибору програмного середовища для розрахунку елементів оптопари ДВЧ діапазону. Фізикотопологічне проектування напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 14.10.2015Визначення класу задач обробки зображень, які ефективно реалізуються на секціонованих оптоелектронних інтегральних схемах. Формування вимоги до топологічних розмірів елементів оптоелектронних інтегральних схем оброблення та передавання зображень.
автореферат, добавлен 24.02.2014Порівняння ефективності електромагнітних кристалів на основі неоднорідностей з традиційними рішеннями на основі мікросмужкової лінії. Аналіз обмежень ефективності традиційних мікросмужкових структур. Комп’ютерне моделювання в CST Microwave Studio.
статья, добавлен 30.10.2016Параметри і характеристики діодів. Класифікація біполярних та уніполярних транзисторів. Принципи підсилення в транзисторі при активному режимі роботи. Показники та характеристики аналогових електронних пристроїв. Внутрішні завади аналогових пристроїв.
учебное пособие, добавлен 07.07.2017Фотоелектричні пристрої широкого спектрального діапазону на основі селенідів індію та галію. Вплив високоенергетичного випромінювання на параметри фотодіодів та напівпровідники. Вплив лазерного випромінюванням на фотоелектричні параметри пристроїв.
автореферат, добавлен 28.09.2015Отримання нанопорошків методом механічного подрібнення. Протиструменеві розмелювання у псевдорозрідженому шарі. Методи, що базуються на термообробці. Оксидні порошки для керамічних деталей електронної техніки. Методи хімічного осадження (співосадження).
контрольная работа, добавлен 29.05.2017Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
автореферат, добавлен 06.07.2014Розробка математичних моделей і оцінка ефективності імпедансних елементів керування на базі узагальнених перетворювачів імітансу. Дослідження активних фільтрів на базі двозатворних польових структур Шоттки, придатних для інтегральних технологій.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.
автореферат, добавлен 26.07.2014Аналіз концепції параметричного синтезу частотно-вибіркових пристроїв, що максимально враховує особливості та системний потенціал ідентифікаційних підходів. Розробка алгоритму, що реалізує методами автоформалізації отримання технологічної моделі.
автореферат, добавлен 27.07.2014Характеристика приладів і програмних комплексів пошуку засобів негласного отримання інформації. Порівняльний аналіз алгоритмів роботи автоматизованих комплексів, їх обмеженість та переваги у методології пошуку та виявленні нелегальних сигналів радіоефиру.
статья, добавлен 18.02.2021Розробка технології створення нанорозмірних плівок електропровідних полімерів та встановлення впливу технологічних умов термовакуумного напилення на їх структурні та електрофізичні властивості. Створення швидкодіючих електрооптичних модуляторів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013