Defect concentration in clusters, created by fast-pile neutrons in n-Si (FZ, Cz)

Calculation of the concentration of defects on the doping level for the average cluster in n-Si. It is shown that the concentration of defects for the average cluster is in inverse proportion to the square of the radius of the cluster model Gossick's.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.