Фазові і структурні перетворення у нанорозмірних рентгенооптичних багатошарових композиціях
Роль одномірних кристалів для тонкоплівкових шаруватих композицій. Особливості виготовлення рентгенооптичних елементів і функціональних твердотільних матеріалів. Засоби формування рентгенівських дзеркал для керування електромагнітним випромінюванням.
Подобные документы
Установлення впливу дифузійних бар'єрів на структуру і фазовий склад, а також на процеси силіцидоутворення в багатошарових покриттях Sc/W/Si/W. Порівняльні випробування термічної стабільності покрить. Вимірювання рентгенооптичних характеристик дзеркал.
автореферат, добавлен 25.06.2014Використання кристалів лангаситу і групи ніобату літію як робочих елементів оптоелектронних пристроїв керування лазерним випромінюванням. Покращення п’єзоелектричних і електрооптичних характеристик шляхом вивчення просторової анізотропії властивостей.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вивчення пружніх властивостей кристалів, роль акустичних збуджень при фазових переходах. Розрахунок фононних спектрів та фазових переходів в сеґнетоелектриках. Особливості хімічного зв’язку при переході від кристалів з об’ємною морфологією до шаруватих.
автореферат, добавлен 25.08.2014- 4. Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Дослідження механізмів йонно-стимульованого формування структур з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами. Вплив на особливості процесів формування і властивості багатошарових структур вуглецю, домішок кисню та механічних напружень.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Дослідження впливу плоских дефектів на динамічні характеристики сильно анізотропних шаруватих кристалів, вивчення особливостей локалізації коливань у складних багатошарових сполуках. З’ясування особливостей фононних спектрів складних шаруватих систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вивчення фононних спектрів. Огляд коливальних характеристик кристалічних систем з істотними порушеннями трансляційної симетрії розташування атомів: кристалів зі складними дефектами, квазінизьковимірних та багатошарових кристалів, мікро- і нанокластерів.
автореферат, добавлен 25.08.2015Фізичні основи промислово-перспективних технологій виготовлення робочих плівкових елементів різного функціонального призначення з підвищеною електропровідністю, відтворюваністю властивостей і надійністю. Умови дифузійного формування нанорозмірних плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Динаміка зміни спектру поглинання інтеркальованих шаруватих кристалів, вплив на неї структурних змін обумовлених інтеркаляцією та змін анізотропії електронного перемішування інтеркалянт-матриця. Прогнозування немонотонної зміни інтенсивності піку.
статья, добавлен 25.03.2016Встановлення змін властивостей шаруватих монокристалів InSe і GaSe та нанооб’єктів на їх основі при впровадженні в них водню, барію, йоду. Методи одержання нанорозмірних шаруватих сполук InSe і GaSe. Оптичні характеристики інтеркальованих монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Основи термографічного контролю структури феромагнітних матеріалів при активації електромагнітним полем. Перетворення частини електромагнітної енергії в тепло, формування температурних аномалій, що відображають внутрішню структуру об’єктів контролю.
статья, добавлен 28.08.2016Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Аналіз напружено-деформованого стану шаруватих пластин і оболонок із композиційних матеріалів. Особливості варіаційних постановок задач на основі змішаної форми методу скінченних елементів. Розробка спеціальних алгоритмів побудови чисельних розв'язків.
автореферат, добавлен 12.11.2013Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.
автореферат, добавлен 12.07.2014Прогнозування міцності і жорсткості шаруватих композицій для умов плоского напруженого стану з урахуванням залишкових термічних напружень. Термомеханічні характеристики окремого шару. Критерії міцності та статистична модель композиційних матеріалів.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 16. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Опис топології шаруватих кристалів і можливостей її модифікації в процесі термічного окислення кристала. Вплив тунельно-прозорих шарів діелектриків на фотоелектричні характеристики гетеропереходів. Поведінка спектральної фоточутливості гетеропереходів.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Особливості структуроутворення, формування перколяційного кластеру в композиційних системах на основі багатошарових вуглецевих нанотрубок. Умови стабілізації водних суспензій нанотрубок у присутності поверхнево-активної речовини при проведенні досліджень.
автореферат, добавлен 27.09.2014Закономірності дифузії, структурних і фазових перетворень в багатошарових покриттях на основі скандій/кремній та молібден/кремній при виготовленні і на початкових стадіях термічної та радіаційної дії. Механізми руйнування багатошарових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Моделі для опису кривих дифракційного відбиття кристалів з неоднорідним шаром і їх когерентної та дифузної компонент багатошарових структур з однорідно розподіленими дефектами. Динамічна модель дифракції РП в багатошаровій структурі з дефектами.
автореферат, добавлен 10.08.2014- 20. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
статья, добавлен 13.10.2016 Структурні особливості вихорових ґраток. Виявлення структурних фазових переходів у змішаному стані в шаруватих надпровідниках і тонких плівках. Порівняння структури вихорових ґраток у шаруватих системах з абрикосівськими однорідних надпровідників II роду.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Розробка високопольових методик визначення фізичних величин, що характеризують атомну структуру, енергетичні і емісійні характеристики нанорозмірних та наноструктурних матеріалів. Огляд механізмів модифікації їх атомної структури та мікротопографії.
автореферат, добавлен 30.07.2015- 24. Динамічна теорія дифракції рентгенівських променів в пружно вигнутих монокристалах з мікродефектами
Проблеми сучасних нанотехнологій. Однорідність монокристалічних матеріалів. Тенденція зверхмініатюризація приладів. Розробка не руйнуючих методів контролю структурної досконалості матеріалів. Кінематичне й динамічне розсіювання рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015