Фототермоакустична та фотоелектрична мікроскопія напівпровідникових структур на основі кремнію
Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
Подобные документы
Дослідження оптичних та люмінесцентних властивостей поруватого кремнію і структур на його основі. Розробка лабораторної технології та вивчення фізико-хімічних особливостей формування і морфології шарів поруватого кремнію, визначення їх оптичних констант.
автореферат, добавлен 20.07.2015Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
автореферат, добавлен 10.01.2014Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014- 5. Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту
Дослідження електричних та фотоелектричних характеристик сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлення збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму.
статья, добавлен 23.12.2016 Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 9. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Створення плівок поруватого кремнію електрохімічним методом. Характеристика електричних та оптичних властивостей прозорих плівкових оксидів. Застосування технології вологого хімічного та парового осадження при виготовленні головних ясних покрить.
диссертация, добавлен 01.01.2017Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018- 16. Взаємодія електромагнітних хвиль з активними хвилями в періодичних напівпровідникових структурах
Дослідження властивостей повільних поверхневих власних хвиль структури, утвореної однорідним плазмоподібним напівпростором та шарувато-періодичним середовищем (шарами напівпровідника та діелектрика). Взаємодія власних та кінетичних хвиль у напівпросторі.
автореферат, добавлен 02.08.2014 З’ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними рівнями кислотності. Чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до спіральних структур полінуклеотидів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження електрофізичних властивостей структур на основі поруватого кремнію і паладію при сорбції, накопиченні та виділенні водню з точки зору їх застосування як сенсорів і твердотільних джерел Н2. Оцінка інтенсивності виділення та виходу водню.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013- 23. Наночастинки та композиційний матеріал на основі нанокристалічної матриці і волокон карбіду кремнію
Виготовлення наночастинок Ti, Si, SiC і дослідження їх деяких властивостей та механічних властивостей композиційного матеріалу на основі нанокристалічної матриці SiC і неперервних волокон SiC (КМ SiC/SiC). Дослідження спікання нанокристалічного порошку.
автореферат, добавлен 23.11.2013 - 24. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015