Общие сведения об электронных приборах

Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.

Подобные документы

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.

    реферат, добавлен 20.10.2009

  • Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 06.09.2016

  • Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.

    шпаргалка, добавлен 01.04.2017

  • Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.

    учебное пособие, добавлен 27.02.2012

  • Выполение расчета блоков выпрямителя, стабилизатора и усилительного каскада. Графоаналитический расчет рабочего режима биполярного транзистора. Рассмотрение рабочего режима биполярного транзистора. Вычисление h-параметров биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 25.11.2018

  • Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 14.09.2017

  • Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.

    методичка, добавлен 11.12.2015

  • Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.

    методичка, добавлен 25.12.2012

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Общие сведения о применении явления адаптации в отрасли оптико-электронных приборах. Закономерности и основные этапы адаптации углового поля. Факторы, влияющие на параметры оптического и пространственного фильтров. Принципы изменения структуры прибора.

    лекция, добавлен 17.11.2018

  • Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.

    реферат, добавлен 23.05.2015

  • Обзор электронных полупроводниковых приборов, используемых в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых, цифровых интегральных микросхем, применяемых в системах управления.

    статья, добавлен 21.10.2016

  • Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.

    учебное пособие, добавлен 10.04.2015

  • Физические представления о работе электронных приборов СВЧ и их применении в различных отраслях народного хозяйства. Особенности нагрева диэлектриков в диапазонах УВЧ и СВЧ. Конструкция резонаторных камер для установок СВЧ и нагрева диэлектриков.

    реферат, добавлен 27.09.2012

  • Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Общие сведения о турбогенераторах, их конструкция и принцип действия. Явления электромагнитной индукции и силы Лоренца. Области применения турбогенераторов. Повышение мощности турбогенераторов. Конструкция обмотки ротора. Напряжение и ток на статоре.

    контрольная работа, добавлен 02.12.2013

  • Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Содержание теории электрических, электронных и магнитных цепей. Анализ устройства и принципа действия электрических машин, аппаратов, электроизмерительных и электронных приборов. Основы электроснабжения и автоматического управления электроустановками.

    книга, добавлен 14.03.2014

  • Предназначение электронных и квантовых сверхвысоких частот (СВЧ). Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов. Принцип работы двухрезонаторного усилительного клистрона. Полупроводниковые диоды и транзисторы СВЧ.

    курс лекций, добавлен 22.12.2015

  • Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.

    контрольная работа, добавлен 23.01.2015

  • Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.

    учебное пособие, добавлен 21.09.2018

  • Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.

    методичка, добавлен 05.02.2015

  • Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.

    реферат, добавлен 10.10.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.