Исследование полупроводниковых диодов
Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
Подобные документы
Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Мультиметр как комбинированный электроизмерительный прибор, объединяющий в себе несколько функций. Анализ общей структурной схемы цифрового тестера. Порядок проверки резисторов, диодов, конденсаторов и транзисторов при помощи аналогового мультиметра.
курсовая работа, добавлен 11.12.2015Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Выбор типа кремниевых диодов, определение коэффициента трансформации силового трансформатора выпрямителя. Расчёт параметров сглаживающего Г-образного LC-фильтра. Расчёт, принцип работы электрической функциональной схемы электропитающей установки ЭПУ-60В.
контрольная работа, добавлен 28.09.2013Изучение устройства и назначения пассивных элементов электрических цепей: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности. Техническая характеристика полупроводниковых приборов с p–n переходом: диоды, стабилизаторы, варикап. Операционные схемы усилителей.
курс лекций, добавлен 05.07.2013Показатели надежности современного радиоэлектронного оборудования. Виды отказов и основные дефекты. Неразрушающиеся методы испытания элементов радиоэлектронной аппаратуры. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 22.02.2011Анализ вольтамперных характеристик полупроводникового выпрямительного диода и стабилитрона. Основные параметры выпрямительного диода. Сущность стабилитрона, вычисление динамического сопротивления стабилитрона. Сопротивление балластного резистора.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018- 109. Выпрямители
Использование различных типов выпрямителей для питания радиоприемников, телевизоров, усилителей низкой частоты. Выпрямитель с удвоением напряжения, расчет диодов. Расчет конденсаторов и параметров сопротивление трансформатора. Оценка результатов расчета.
реферат, добавлен 12.01.2011 Сущность широкополосного усилителя сигнала и принципы его работы. Определение коэффициента передачи входного и промежуточного каскадов, их электрическая схема. Выбор транзистора, диодов и стабилитрона, расчет источников питания и силы тока эмиттера.
курсовая работа, добавлен 01.07.2014Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Анализ схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора элементов схемы: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Техника безопасности при эксплуатации электронной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 15.07.2009Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового маломощного стабилитрона. Определение параметров лавинного тока для типового кремниевого прибора. Влияние дифференциального сопротивления на величину выходного напряжения схемы стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 24.12.2014Функциональная схема устройства. Режимы работы счетчика К500ИЕ137. Распределение технических характеристик по блокам. Анализ метрологических характеристик счетчика, его емкость и быстродействие. Наиболее важные для моделирования параметры диодов КД503А.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Способы охлаждения полупроводниковых приборов. Воздушное, естественное и принудительное охлаждение, испарительное охлаждение с промежуточным теплоносителем. Понятия о законах вентиляции. Расчет параметров охладителей. Российская база силовой электроники.
дипломная работа, добавлен 24.08.2012Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Расчет цепей управления силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором. Обеспечение оптимальных значений времени переключения с целью снижения коммутационных потерь и повышении надежности схем управления микропроцессорными устройствами.
статья, добавлен 20.02.2019- 125. Методика измерения параметров объектов телекоммуникаций на основе технологии виртуальных приборов
Анализ методики измерения параметров объектов телекоммуникаций ОТК на основе технологии виртуальных приборов которая опирается на методику выполнения прямых измерений с многократными независимыми наблюдениями и основные положения обработки результатов.
статья, добавлен 15.08.2020