Примесная фотопроводимость
Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней. Эффект индуцированной примесной фотопроводимости. Термооптические переходы и двойные оптические переходы. Оптическая перезарядка примесных центров. Эффект отрицательной фотопроводимости.
Подобные документы
Влияние уровней прилипания на стационарный (установившийся) фототок и стационарную фотопроводимость. Изменение релаксации фототока при наличии медленных центров захвата и при сильном заполнении уровней прилипания. Термостимулированное опустошение ловушек.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Разработка модернизированного кремниевого МДП-фототранзистора с использованием поверхностной инфракрасной фотопроводимости, его расчет и конструкция в оптической связи. Прием оптической информации в условиях малых световых потоков разных диапазонов.
статья, добавлен 30.07.2016Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.
учебное пособие, добавлен 10.12.2013Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012Методы передачи в волоконно-оптических системах городских телефонных сетей, принципы построения и основные особенности. Волоконно-оптические датчики, оптические гироскопы. Шумовые факторы, методы их устранения. Лазеры и становление оптоэлектроники.
реферат, добавлен 19.06.2010История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
контрольная работа, добавлен 20.01.2013- 8. P-N переходы
Принцип работы P-N перехода в полупроводниковых приборах, как слоя с пониженной электропроводностью, образующийся на границе областей с электронной и дырочной проводимостью в единой структуре при диффузии доноров или акцепторов. Зонные диаграммы.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Явление полного внутреннего отражения, основные законы геометрической оптики. Сущность полного внутреннего отражения. Волновые уравнения с точки зрения уравнений Максвелла. Эффект полного отражения в волоконно-оптических линиях связи, оптическая мода.
курсовая работа, добавлен 18.12.2019Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.
книга, добавлен 19.10.2013Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Характеристика системы контроля, работающей под управлением однокристального микроконтроллера. Подключение кварцевого резонатора и выполнение специализированных функций обмена информации. Межстраничные переходы в пределах выбранного банка памяти программ.
доклад, добавлен 17.05.2016Транспортные и оптические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в условиях воздействия сильных электромагнитных полей. Характер вольт-амперных характеристик исследуемых систем. Радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке.
автореферат, добавлен 15.02.2018Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Контактные и дроссельные разъемы, их преимущества и недостатки. Сочленение отрезков линий передачи. Трансформаторы типов волн, иногда называемые переходами с одной линии передачи на другую. Переходы между коаксиальной линией и полосковыми линиями.
лекция, добавлен 27.09.2017Выбор системы связи и аппаратуры уплотнения, типа магистрального кабеля и размещения цепей по четверкам. Переходы и пересечения железных дорог, естественных и искусственных препятствий. Определение класса линии, длины опор и их количества по типам.
курсовая работа, добавлен 16.11.2012- 19. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Плавные переходы с микрополосковой на однополосковую линию. Рассмотрение планарной и непланарной конструкции перехода. Анализ распределения амплитуды электрического поля на частоте 31 ГГц при возбуждении перехода со стороны микрополосковой линии.
статья, добавлен 04.11.2018Описание электрической схемы усилителя мощности звуковых частот с крайне глубокой отрицательной обратной связью. Зависимость перегрузочных характеристик, уровней нелинейных искажений от фазы сигнала. Определение скорости нарастания выходного напряжения.
реферат, добавлен 14.12.2016Цифровая система наземного радиовещания DRM+, ее технические характеристики. Спектр сигналов цифрового радиовещания DRM+ в диапазоне аналоговой сети. Максимально допустимые значения уровней сигнала интерференционной помехи. Эффект перекрестной модуляции.
статья, добавлен 26.03.2016Экстремальные ситуации для функционирования объектов связи. Основные требования, выполнение которых ведет к повышению устойчивости функционирования объектов связи. Необслуживаемые усилительные пункты. Переходы кабельных магистралей через судоходные реки.
реферат, добавлен 15.12.2013Влияние всестороннего давления на свойства полупроводниковых материалов и на состояния примесных атомов в кремнии. Выбор методики получения высоких давлений при низких температурах. Изучение методов измерения фоточувствительности и магнетосопротивления.
диссертация, добавлен 24.05.2018Волоконные световоды и оптические кабели. Распространение световых волн вдоль оптического волокна. Источники излучения и оптические модуляторы. Отличие суперлюминесцентного и светоизлучающего диода. Основные элементы фотоприемника. Схема линейного тракта.
контрольная работа, добавлен 29.10.2013