Влияние облучения медленными электронами на состояние нанопленок KCl и LiF на поверхности Si(111)
Изучение и определение условий образования точечных дефектов и их кластеров на поверхности тонких нанопленок KCl и LiF, сформированных на поверхности Si(111) при облучении медленными электронами. Зависимости образования поверхностных точечных дефектов.
Подобные документы
Образование кластеров точечных дефектов при каскадообразующем облучении, в квазистационарном приближении. Стационарное распределение кластеров по размерам, его зависимость от параметров задачи. Физические свойства материала, в котором образуются кластеры.
статья, добавлен 22.08.2013Влияние температуры и точечных дефектов на свойства твердого тела. Исследование физико-химического механизма ионизации органических соединений азота, фосфора, мышьяка и серы на поверхности оксидов переходных металлов. Точечные дефекты в оксидах металлов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Влияние лазерного импульсного облучения на структуру поверхностных слоёв сплавов. Мультимасштабная структура, которая образуется в результате лазерного облучения поверхности. Уменьшение концентрации включений интерметаллических фаз в поверхностном слое.
статья, добавлен 27.07.2016Интенсивность разрушения микроскопического рельефа поверхности при воздействии различных разрушающих факторов. Процесс распыления поверхности при бомбардировке медленными атомами. Анализ главных аспектов физического механизма атомного распыления.
статья, добавлен 30.01.2016Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Классификация твердых тел по различным признакам, их структурные элементы. Типы точечных дефектов, наиболее распространенных в кристаллах: вакансии и междоузлия. Условия возникновения линейных, объемных и поверхностных дефектов, их основные виды.
реферат, добавлен 13.05.2013Описание эллипсометра и результаты систематических исследований влияния различных дефектов на поверхности материала с сильным поглощением на данные эллипсометрии. Создание схемы автоматизированного квазиоптического терагерцевого нуль-эллипсометра.
статья, добавлен 14.07.2016- 8. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Анализ результатов исследований образования поверхностных дефектов в широком диапазоне мощностей доз и длительностей воздействия ионизирующего излучения. Модель образования поверхностных дефектов при длительном воздействии ионизирующего излучения.
автореферат, добавлен 02.08.2018 Дефекты кристалла: их классификация по размерности. Сущность нульмерных дефектов. Термодинамика точечных дефектов, условия миграции. Описание одномерных, двумерных и объёмных дефектов. Методы избавления от них. Дефекты кристаллической решетки металла.
контрольная работа, добавлен 16.05.2022Исследование эффекта эмиссии электронов при рентгеновском облучении с энергией кванта порядка 3 keV поверхности электретов. Определение характера корреляции между энергией и плотностью потока эмиссионных электронов из сегнетоэлектрической керамики.
статья, добавлен 30.05.2017Характеристики процессов, происходящих в твердых и жидких телах. Специфика дефектов кристаллического строения вещества. Изучение точечных дефектов (отсутствие, замещение или появление "лишнего" атома). Атомные механизмы диффузии и дефекты кристаллов.
курсовая работа, добавлен 27.10.2011Особенности постройки диаграмма состояний и соответствующих фазовых портретов. Знакомство с динамикой изменения скорости ползучести, плотности дислокаций и точечных дефектов в материалах под облучением с учетом генерации вакансий скользящими дислокациями.
контрольная работа, добавлен 02.09.2013Влияние отражения фотоносителей от освещаемой поверхности на фото-ЭДС, генерируемую определенным образцом. Влияние микрорельефа поверхности тонких пленок на реактивную фото-ЭДС. Разработка и объяснение нового механизма возникновения АФН-эффекта.
статья, добавлен 27.01.2018Дефектометрия на основе анализа температурного отклика, на передней поверхности пластины после импульсного нагрева. Тепловая дефектометрия путем минимизации функционала невязки (метод неленейной фильтрации). Определение поперечных размеров дефектов.
курсовая работа, добавлен 17.04.2013- 15. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018 Изучение радиационных дефектов в режиме изолированных пар как перспективное для первичных пространственных эффектов в радиационных явлениях твердого тела. Фон дорадиационных дефектов. Кривые термостимулированной люминесценции облученных кристаллов.
статья, добавлен 08.12.2018Особенности теоретических изображений основных типов дефектов структуры при произвольном расположении их в объеме различных монокристаллов. Программы наложения "зашумляющих" факторов. Влияние наклона оси дислокации к поверхности монокристалла на контраст.
автореферат, добавлен 27.06.2018- 18. Получение и исследование оптических свойств массивов наночастиц Au на поверхности тонких пленок ZnO
Управление морфологическими параметрами массивов наночастиц Au, получаемых на поверхности тонких пленок ZnO методом импульсного лазерного напыления с дальнейшим отжигом в инертной атмосфере. Особенность повышения максимума плазмонного поглощения.
статья, добавлен 29.06.2017 Физико-химическое состояние поверхности - показатель, который может быть определен посредством термодинамических параметров. Энергия поверхности - характеристика двойного электрического слоя, которая зависит от наличия, природы адсорбированных частиц.
статья, добавлен 02.11.2018- 20. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Температурная зависимость поверхностных концентраций. Влияния последовательного прогрева на воздухе на элементный состав, химическую связь на поверхности образцов инструментальных сталей. Теории сегрегаций для тройных систем сильно разбавленных растворов.
статья, добавлен 21.11.2018Представлены результаты исследования электрических свойств тонких пленок жидкости на поверхности металла с помощью микроволн. Исследования были выполнены в медном прямоугольном волноводе. Результаты электромагнитных потерь при пропускании излучения.
статья, добавлен 26.01.2021Исследование теории обтекания тел потоком газа и получение практических навыков экспериментального определения коэффициентов давления по поверхности. Установление перпендикулярно направленного потока воздуха в выходной части аэродинамической трубы.
лабораторная работа, добавлен 24.12.2019Исследование кривых свободной поверхности потока воды в открытых призматических руслах. Построение кривой свободной поверхности. Определение ее характеристики методами Чарновского и Павловского. Гидравлический прыжок. Изучение форм свободной поверхности.
контрольная работа, добавлен 13.12.2013Разработка методики моделирования температурного распределения на поверхности отопительной панели с учётом ее характеристик и температуры внутреннего воздуха. Анализ изменения неравномерности температур поверхности при разной температуре теплоносителя.
статья, добавлен 30.05.2017