Исследование удельного сопротивления полупроводников и тонких плёнок
Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
Подобные документы
Поверочный расчет пленочных резисторов и пленочных конденсаторов. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. Расчет толстопленочных резисторов и их разбивка на группы, выбор резистивного материала.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Понятие подложки в микроэлектронике. Развитие и производство полупроводниковых изделий и подложек на сегодняшний день. Источники загрязнения и важность снижения уровня загрязнений подложек. Классификация жидкостных и сухих методов очистки подложки.
реферат, добавлен 18.08.2014Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Входной контроль монокристаллических кремниевых пластин. Методы определения типа электропроводности. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов и пленок четырехзондовым методом. Определение концентрации примесных атомов в кремнии.
методичка, добавлен 13.03.2015Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Получение образцов пиролизованного полиакрилонитрила, которые содержат соединения меди. Изучение электропроводящих свойств полученных образцов методами интерференционной микроскопии, РФА, ИК-спектроскопии и АСМ. Тенденция снижения удельного сопротивления.
статья, добавлен 28.05.2017Определение эквивалентного сопротивления цепи. Замена последовательно соединенных резисторов эквивалентным сопротивлением. Направление токов и напряжений в ветвях сети. Изменение тока при выключении из схемы резистора. Расчет сопротивления и напряжения.
контрольная работа, добавлен 27.02.2014Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Конструктивные особенности многослойных печатных плат сверхвысокочастотного диапазона. Моделирование диаграмм направленности паразитного излучения кромок диэлектрических подложек. Рассмотрение материалов подложек и особенности их использования в платах.
магистерская работа, добавлен 02.09.2018Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Расчет автоколебательного мультивибратора: выбор напряжения источника, выбор транзистора, расчет сопротивления резисторов и хронирующего конденсатора. Параметры ждущего мультивибратора, его транзисторов и резисторов. Проверка условия восстановления схемы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2012Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Обоснование конструктивно-технологического исполнения гибридной интегральной микросхемы. Проведение конструктивного расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, подбор навесных компонентов. Выбор материала платы, определение ее минимальных размеров.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Анализ существующих схем простейших усилителей. Расчет оконечного каскада мощного и предварительного усилителя. Описание схемы электрической принципиальной. Выбор стандартных резисторов и конденсаторов. Определение сопротивления коллекторной цепи.
курсовая работа, добавлен 24.03.2016Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Методы очистки подложек интегральных схем и деталей электровакуумных приборов. Технология получения и изучения свойств тонких пленок. Изготовление оксидного катода и его испытание в разборной лампе. Технология люминофоров и люминесцирующих покрытий.
методичка, добавлен 27.10.2017Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012