Светоизлучающие диоды на основе нанопроводов оксида цинка
Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
Подобные документы
Разработка инновационного подхода для преобразования наноразмерной механической энергии в электрическую энергию массивами пьезоэлектрических нанопроволок оксида цинка. Возможные виды конфигураций контакта между нанопроволкой и зигзагообразным электродом.
презентация, добавлен 12.08.2015Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Изучение возможности конструирования пассивных датчиков на поверхностных акустических волнах для определения параметров газовых сред. Исследование спектров катодолюминесценции наностержней оксида цинка в видимой и ультрафиолетовой областях спектра.
статья, добавлен 30.05.2017Синтез лазерного стеклокристаллического материала с нанокристаллами оксида цинка, легированного ионами двухвалентного кобальта для пассивной модуляции добротности эрбиевых лазеров. Исследование его структурных, спектроскопических и оптических свойств.
статья, добавлен 07.12.2018Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Изучение посредством рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии свойств наноструктур ZnO, полученных методом импульсного электрохимического осаждения. Влияние состава электролита и длительности импульсного электроосаждения на их морфологию.
статья, добавлен 23.12.2016Характеристика различных методов получения керамики на основе оксида алюминия и алюмомагниевой шпинели. Анализ микрофотографий исходных нанопорошков. Исследование эффективности методов горячего прессования и спекания для формирования оптической керамики.
статья, добавлен 07.12.2018Расчет спектральных зависимостей комплексного показателя преломления, максимального коэффициента эффективности поглощения и радиуса ему соответствующего для наночастиц оксида меди в вакууме для оптимизации исполнительных устройств на основе оксида меди.
статья, добавлен 18.07.2018Влияние лазерного вещества на конструкцию фотоэлемента из тонких пленок оксида цинка, аморфного кремния на стекле. Моделирование рекристаллизации в твердофазном состоянии. Взаимодействие поверхности кремния при воздействии импульсного лазерного излучения.
статья, добавлен 30.07.2017Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Исследование основных физико-механических и антифрикционных свойств резин, объемно модифицированных корундовыми микросферами оксида алюминия с размером частиц 100 - 180 мкм на основе комбинации полихлоропренового и бутадиен-нитрильного каучуков.
статья, добавлен 02.02.2019Особенности и преимущества светоизлучающих диодов по сравнению с другими электрическими источниками света, их спектральные характеристики и промышленное применение. Типичные структуры и параметры излучателей, используемых в современных оптронах.
реферат, добавлен 11.11.2009Электронная структура и энергетические уровни переходных металлов в селениде цинка, оптическая активность примеси золота. Методика термической обработки селенида цинка, их легирования, исследования люминесцентных свойств. Вяление переноса носителей тока.
диссертация, добавлен 25.11.2013Современная тенденция к миниатюризации. Классификация, характеристика и основные свойства нанообъектов. Особенности наночастиц диоксида кремния и наночастиц оксида цинка. Сущность и специфика компьютерной микроэлектроники. Понятие молекулярных роторов.
реферат, добавлен 29.03.2019Расчет констант распространения волноводных мод и полей мод в органических светоизлучающих диодах. Вычисление трех типичных структур диодов. Влияние введения рассеивающего слоя между прозрачным электродом и подложкой на эффективное рассеивание мод.
статья, добавлен 04.11.2018Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Принцип действия ФЭХП (фотоэлектрохимического преобразователя). Роль ко-медиатора на основе железа в ускорении регенерации фотоокисленного сенсибилизатора. Структура органического сенсибилизатора Carbz-PAHTDTT. Медиаторы на основе Cu(I) комплексов.
статья, добавлен 16.11.2018Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
методичка, добавлен 25.12.2012Проведение исследования спектрально-кинетических характеристик люминесценции. Главный анализ формирования кристаллической структуры вольфрамата цинка. Особенность увеличения интенсивности люминесценции и времени затухания с ростом температуры отжига.
статья, добавлен 01.02.2019Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Исследование особенностей углеродных нанотрубок. Изучение их структуры. Анализ способов обозначения хиральности. Электронные устройства на основе углеродных наноструктур. Рассмотрение аспектов схематического изображения фотодетектора на основе графена.
реферат, добавлен 23.05.2015Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014