Вибір робочої точки напівпровідникового сенсора температури
Вплив рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні показники термосенсорів. Причини збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду. Зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик.
Подобные документы
Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
статья, добавлен 27.07.2016Основні параметри і властивості германієвих і кремнієвих діодів та дослідження їх вольт-амперних характеристик. Напівпровідниковий діод як електроперетворюючий напівпровідниковий прилад з дірково-слектронним переходом і двома металевими виводами.
учебное пособие, добавлен 04.11.2015Наведення алгоритму SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Значення опорної напруги.
статья, добавлен 29.09.2016- 4. P-i-n-діод
Фізичні явища в перемикаючих p-i-n-діодах та їх вольт-амперна характеристика. Перехідні процеси при подачі прямого зміщення та при його перемиканні до зворотного. Структура швидкодіючого діода та вимоги до параметрів напівпровідникового матеріалу.
курсовая работа, добавлен 23.01.2011 Методи аналізу магнітних полів електротехнічних пристроїв. Розрахунок тримірного магнітного поля математичної моделі кріогенератора з урахуванням кінцевої довжини магнітопроводу, поля тороідального трансформатора з витим стрічковим магнітопроводом.
автореферат, добавлен 21.11.2013Аналіз основних типів детекторів іонізуючого випромінювання, їхніх переваг та недоліків. Застосування напівпровідникового детектора на основі ZnSe при підвищених температурах. Двокристальна схема для реєстрації рентгенівського та гамма-випромінювання.
статья, добавлен 27.02.2016Методи визначення статичного опору для прямого, зворотного напряму напівпровідникового діода при різних значеннях прикладеної напруги. Формула для розрахунку динамічного опору даного електронного елементу в певній точці вольт-амперної характеристики.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Розробка математичної та комп’ютерної моделей допоміжного термокатоду, що враховує вплив поля просторового заряду на роботу магнетрона. Дослідження закономірностей та характеристик холодного запуску магнетронів за допомогою модуляції анодної напруги.
автореферат, добавлен 17.07.2015Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016Особливості магнітомодуляційного методу з широтно-імпульсною модуляцією і компенсаційного методу безконтактного вимірювання постійних струмів. Вплив температури та механічних факторів на точність вимірювання постійних струмів, алгоритми зменшення похибок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка структур високоточних швидкодіючих самокаліброваних аналого-цифрових перетворювачів порозрядного врівноваження з перерозподілом заряду, зменшення статичних похибок. Розробка та оцінка рекомендацій щодо проектування АЦП з перерозподілом заряду.
автореферат, добавлен 29.08.2013Розробка нових елементів молекулярної оптоелектроніки. Використання плівки Лангмюр-Блоджетт в оптохемотронних пристроях. Дослідження процесів переносу заряду в тонких шарах органічних молекул. Побудова фізичної і математичної моделей роботи сенсора.
автореферат, добавлен 02.08.2014Розробка методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розробка інтелектуальної системи аналізу та нейромережевого прогнозування споживання заряду акумуляторної батареї для автоматизованих транспортних засобів. Дослідження типів АКТЗ та методи ефективного прогнозу споживання заряду їх акумуляторної батареї.
статья, добавлен 24.03.2024Визначення залежності струму колектора від струму бази та напруги колектор-емітер. Розрахунок сімейства вихідних характеристик біполярного транзистора в схемі із загальним емітером. Фактори, що визначають силу струму, що протікає через колектор.
лабораторная работа, добавлен 27.03.2014- 16. К вопросу о разработке модели нелинейного двухполюсника с управляемой вольт-амперной характеристикой
Разработка схемы замещения нелинейного двухполюсника с вольт-амперной характеристикой. Использование аналого-цифро-аналогового элемента для решения задачи. Применение полиномов различной степени для аппроксимации характеристик нелинейных элементов.
статья, добавлен 28.07.2017 Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розгляд теорії і розрахунку пондеромоторних сил магнітних елементів на основі визначення просторового розподілу у феромагнітному матеріалі. Ефект силової дії поля на полюси електромагніту спеціальної конструкції. Оцінка впливу магнітних хвиль на тіло.
автореферат, добавлен 27.07.2014Методи виміру температури і температурних шкал, класифікація вимірювальних приладів. Характеристика існуючих термоопорів. Синтез функціональної схеми датчика температури. Розрахунок аналого-цифрового перетворювача і вибір комплектуючих елементів.
курсовая работа, добавлен 19.08.2012- 20. Статичні та динамічні характеристики широкоапертурних плазмових лінз зі стаціонарним магнітним полем
Аналіз характеристик широкоапертурних плазмових лінз з мінімізованими градієнтами магнітного поля при фокусуванні імпульсних пучків важких іонів. Визначення коефіцієнта стискання іонних пучків, при фокусуванні плазмовою лінзою в слабких магнітних полях.
автореферат, добавлен 29.10.2015 Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Вимірювання температури кварцовими термометрами. Розробка способу зменшення робочої частоти термометра, що дає змогу підвищити температурну чутливість, зменшити абсолютну похибку вимірювання і оптимізувати вимоги до швидкодії цифрової частини термометра.
статья, добавлен 14.09.2016Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Дослідження вимірювального перетворювача температури автогенераторного типу на основі реактивних властивостей напівпровідникових структур з покращеними параметрами. Вплив температури на компоненти малосигнального імпедансу біполярного транзистора.
статья, добавлен 23.12.2018