Полевые транзисторы с изолированным затвором
Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
Подобные документы
Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.
реферат, добавлен 21.06.2014История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 25.03.2015Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.
реферат, добавлен 25.09.2009Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
статья, добавлен 28.07.2013Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Полевой транзистор как электронный прибор. Описание полевых транзисторов с изолированным затвором, с индуцированным каналом. Температурный режим работы прибора. Расчет электрических, электрофизических, дифференциальных параметров, мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 25.08.2021Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.
статья, добавлен 30.05.2017Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018