Изучение конструкций проводниковых и полупроводниковых терморезисторов
Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
Подобные документы
Физические основы полупроводниковых лазеров. Характеристики инжекционного лазера. Оптика полупроводниковых лазеров, измерения спектра усиления. Гетероструктуры и наноструктуры. Эпитаксия полупроводниковых материалов. Лазеры на основе наноструктур.
книга, добавлен 07.08.2013Рассмотрение классификации цветных металлов. Определение особенностей их применения и технологии обработки. Приведение основных сплавов алюминия, а так же их свойств, различных магнитных, полупроводниковых и проводниковых материалов из цветных металлов.
реферат, добавлен 05.05.2016Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Сущность и предназначение термисторов, их характеристика и преимущества. Конструкции терморезисторов, выбор и расчет датчика для него. Определение измерительного механизма вольтамперметров. Конструкция монокристаллического полупроводникового алмаза.
реферат, добавлен 16.05.2015- 5. Вычисление диэлектрических потерь. Понятие и свойства проводников. Расчет показателей намагничивания
Определение тока утечки, мощности потерь и удельных диэлектрических потерь при включении конденсатора на постоянное напряжение. Рассмотрение свойств проводниковых и полупроводниковых материалов. Построение основной кривой намагничивания материала.
контрольная работа, добавлен 26.03.2015 Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Изложение методов определения тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь. Характеристика проводниковых (алюминий и свинец), полупроводниковых (карбид кремния и варистор) и магнитных материалов (железо технически чистое и феррит 1БИ).
контрольная работа, добавлен 11.05.2014Обобщенная математическая модель и методика оптимального проектного синтеза трансформаторов. Эффективная структурно-параметрическая оптимизация трансформатора с обмотками из различных проводниковых материалов методом циклического покоординатного спуска.
статья, добавлен 22.12.2016Принцип действия терморезисторов. Суть работы контакторов и магнитных пускателей. Назначение дифференциальных измерительных схем в автоматических устройствах и их классификация. Анализ пуска трехфазного асинхронного электродвигателя с фазным ротором.
контрольная работа, добавлен 25.12.2015Характеристика теплового излучения, его законы (Стефана-Больцмана, Кирхгофа, Планка, Вина). Принципы инфракрасного излучения и анализ его волнового диапазона, определение интенсивности в однородной плазме. Процесс пирометрии и применение терморезисторов.
реферат, добавлен 31.01.2015Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009- 14. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014- 16. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Изучение принципа действия и конструкции индукционных датчиков как бесконтактных датчиков, предназначенного для контроля положения объектов из металла. Снятие статических характеристик индукционных датчиков, определение коэффициентов их чувствительности.
лабораторная работа, добавлен 15.12.2019Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015