Контактные явления в полупроводниках
Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
Подобные документы
Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.
презентация, добавлен 29.08.2015Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018- 3. Эффект Холла
Эффект Холла в ферромагнетиках и полупроводниках, при примесной проводимости, при собственной проводимости, на инерционных электронах в полупроводниках. Квантовый и спиновый эффект Холла. Измерение эффекта Холла на образцах прямоугольной формы.
реферат, добавлен 03.06.2015 Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015- 9. Эффект Холла
Разработка структурной схемы счетчика оборотов на эффекте Холла, проведение технологических экспериментов и анализ полученных результатов. Особенности эффекта Холла в ферромагнетиках, полупроводниках, а также при примесной и собственной проводимости.
курсовая работа, добавлен 31.01.2015 - 10. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014 Полупроводники с собственной, электронной и дырочной проводимостью. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Контакт между полупроводниками одинакового типа проводимости. Концентрация примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018- 13. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Исследование влияния механизма дырочного допирования на электрохимическое поведение манганитов методом вольтамперометрии с использованием угольно-пастового электроактивного электрода. Механизм образования дырок. Корреляция с концентрацией носителей тока.
статья, добавлен 02.04.2019- 15. Р-п переходы
Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.
лекция, добавлен 29.10.2013 Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Свободные электроны и дырки, образованные в результате "термической ионизации". Определение проводимости полупроводника. Ряд смысловых значений термина "время жизни". Фотопроводимость, отнесённая к единице интенсивности возбуждающего излучения.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.
реферат, добавлен 29.08.2015