Исследование влияние внешнего возмущения большой амплитуды на нелинейные системы на примере туннельного диода

Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.

Подобные документы

  • Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.

    лабораторная работа, добавлен 06.07.2015

  • Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.

    курсовая работа, добавлен 24.12.2015

  • Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.

    контрольная работа, добавлен 27.10.2015

  • Оценка абсолютной и конвективной устойчивости на основе решения спектральной задачи для возмущений. Анализ основных условий существования стоячих волн большой амплитуды при гофрированной поверхности стекания и физического механизма их образования.

    автореферат, добавлен 02.03.2018

  • Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.

    методичка, добавлен 05.02.2015

  • Процессы развития модуляционной неустойчивости волн большой амплитуды. Поведение огибающей интенсивного волнового поля для модели, которая описывается уравнением Лайтхилла с учетом поглощения и внешнего источника. Механизмы модуляционной неустойчивости.

    статья, добавлен 27.07.2016

  • Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.

    контрольная работа, добавлен 03.09.2012

  • Исследование конструкции туннельного микроскопа. Анализ упругих свойств звена манипулятора горизонтальных перемещений. Оценка величины отклонений иглы при действии периодических возмущений на основании измерительного блока, при колебаниях основания.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Формирование неповторяющегося импульса ударного тока большой величины, базирующейся на использовании принципа дискретной суперпозиции зарядов в электрической цепи обмотки. Испытание силовых полупроводниковых диодов на устойчивость к его воздействию.

    статья, добавлен 10.04.2018

  • Понятие и виды колебаний, определение их амплитуды и частоты. Закон гармонического колебательного движения на примере пружинного маятника. Затухающие и вынуждение колебания, явление резонанса. Изучение амплитуды затухания камертона с помощью осциллографа.

    лабораторная работа, добавлен 11.10.2012

  • Влияние механических напряжений в тонких сверхпроводящих YBCO пленках на их вольтамперные характеристики. Исследования вольтамперных характеристик монокристаллических, гранулярных и напряженных пленок. Повышение внутреннего давления в материале пленки.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Рассмотрение резонанса как резкого возрастания амплитуды вынужденных колебаний при приближении частоты внешнего воздействия к резонансным частотам. Механическое движение тела, определение его положения и скорости. Расчет амплитуды и фазы колебаний.

    доклад, добавлен 27.11.2013

  • Наблюдение преобразований и искажений сигналов нелинейными элементами. Ознакомление с методами расчёта в режимах большого и малого сигналов. Активные элементы электрических цепей. Комплексное изучение вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

    методичка, добавлен 25.02.2014

  • Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.

    реферат, добавлен 23.05.2016

  • Системы уравнений, описывающие нестабильность волн большой амплитуды, распространяющихся в неравновесных средах и системах с кубической нелинейностью и конечным уровнем поглощения. Численное моделирование модуляционной неустойчивости гравитационных волн.

    статья, добавлен 27.07.2016

  • Исследование аномальной поверхностной диффузии частиц во внешнем периодическом во времени поле. Усиление поверхностной диффузии в зависимости от амплитуды и частоты внешнего поля. Факторы и условия его возрастания на порядки при приложении внешнего поля.

    статья, добавлен 27.07.2016

  • Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик. Момент электрического пробоя напряжения. Расчет значений дифференциального сопротивления, напряжения стабилизации и минимального тока стабилизации.

    лабораторная работа, добавлен 19.04.2013

  • Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.

    презентация, добавлен 23.06.2013

  • Основные положения и методы измерения мощности. Измерение амплитуды с использованием приемника. Измерение амплитуды ВЧ-сигналов с использованием монолитных интегральных схем. Измерение амплитуды с использованием непосредственной выборки ВЧ-сигналов.

    реферат, добавлен 16.10.2020

  • Реальная вольтамперная характеристика германиевых и кремниевых диодов. Важнейшая особенность изменения температуры при фиксированном токе. Анализ номинального напряжения стабилизации. Основная сущность схемы тиристорной структуры и стабилитрона.

    лабораторная работа, добавлен 06.03.2015

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Краткий анализ поведения очень низкочастотного электромагнитного сигнала, принимаемого на станции в Петропавловске-Камчатском, в связи с двумя сильными землетрясениями в Индонезии. Аномалии в дисперсии ночной амплитуды. Возмущения ионосферной плазмы.

    статья, добавлен 19.08.2021

  • Анализ неоднозначности оценки реальных молниевых процессов разными специалистами. Характеристика формы "стандартного" грозового импульса. Основные способы измерения, основанные на применении молниевых токов. Нарастание напряжения от полной амплитуды.

    статья, добавлен 02.02.2019

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.