Проектирование гибридных интегральных схем

Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.

Подобные документы

  • Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.

    контрольная работа, добавлен 25.05.2012

  • Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.

    контрольная работа, добавлен 24.09.2012

  • Поверочный расчет пленочных резисторов и пленочных конденсаторов. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. Расчет толстопленочных резисторов и их разбивка на группы, выбор резистивного материала.

    контрольная работа, добавлен 09.12.2013

  • Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 20.01.2014

  • Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.

    курсовая работа, добавлен 11.02.2013

  • Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Расчет элементов принципиальной схемы и амплитудно-частотной характеристики усилителя. Выбор навесных и пленочных элементов. Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2015

  • Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 16.09.2017

  • Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.

    курсовая работа, добавлен 08.06.2016

  • Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2010

  • Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.

    курсовая работа, добавлен 10.05.2013

  • Расчет тонкопленочных резисторов, выбор материала резистивной пленки. Определение геометрических размеров контактных переходов и подгоняемого резистора. Обеспечение электрической прочности и оценка добротности. Расчет тонкопленочных конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 11.05.2017

  • Анализ существующих схем простейших усилителей. Расчет оконечного каскада мощного и предварительного усилителя. Описание схемы электрической принципиальной. Выбор стандартных резисторов и конденсаторов. Определение сопротивления коллекторной цепи.

    курсовая работа, добавлен 24.03.2016

  • Разработка топологического чертежа микросхемы усилителя промежуточной частоты. Расчет мощности, длины резистивной пленки, площади, коэффициента нагрузки резистора; максимальной удельной емкости, длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора.

    курсовая работа, добавлен 28.02.2010

  • Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.

    курсовая работа, добавлен 18.01.2016

  • Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 28.03.2016

  • Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.

    курсовая работа, добавлен 06.12.2013

  • Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 01.12.2014

  • Выбор усилителя звуковых частот. Определение числа каскадов. Расчет цепей питания и термостабилизации. Построение структурной схемы передатчика. Основные параметры генератора. Выбор и расчёт предоконечного транзистора. Расчёт блокировочных конденсаторов.

    курсовая работа, добавлен 10.09.2015

  • Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.

    реферат, добавлен 01.02.2011

  • Технология получения керамики. Требования к подложкам микросхем. Конструктивно-технологические особенности толстопленочных интегральных микросхем. Схема процесса изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных схем. Сущность скрайбирования.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2010

  • Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.

    курсовая работа, добавлен 18.03.2020

  • Проектирование импульсного усилителя обладающий заданными параметрами. Расчет импульсного усилителя напряжения с определенным коэффициентом усиления. Выбор схемы усилителя и транзистора. Рабочая точка оконечного каскада. Расчет емкостей усилителя.

    курсовая работа, добавлен 06.05.2010

  • Проектирование и расчет пленочных интегральных схем. Рассмотрение основных принципов проектирования топологической структуры гибридных проектов. Методика расчета основных тонкопленочных элементов и оценка теплового режима гибридных интегральных микросхем.

    учебное пособие, добавлен 21.11.2012

  • Внедрение новой радиоэлектронной техники. Интегральные микросхемы как самые массовые изделия современной микроэлектроники: общие сведения, особенности процесса сборки интегральных схем (пайка, сварка, приклеивание, присоединение и герметизация).

    курсовая работа, добавлен 05.12.2010

  • Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.

    курсовая работа, добавлен 25.05.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.