Механизмы создания анионных френкелевских дефектов в экситонной области и в области межзонных переходов щелочногалоидных кристаллов
Изучение оптических характеристик собственных электронных возбуждений с целью оценки величины оптического барьера для автолокализации экситонов. Анализ температурной зависимости интенсивности свечения автолокализованных экситонов, величина барьеров.
Подобные документы
История и направления изучения гетеросистем на основе арсенида галлия. Анализ и исследование минизонной структуры, транспортных свойств с учетом спиновой поляризации носителей тока, подходы к оценке условий образования в них экситонов высокой плотности.
статья, добавлен 10.07.2013Анализ квантового характера явлений в наноструктурах. Исследование спектра и энергетических зон в полупроводнике. Рассмотрение экситонов как состояния атомов в виде волны возбуждения кристалла. Изучение зависимости его энергии от ширины квантовой ямы.
статья, добавлен 13.04.2016Характеристики процессов, происходящих в твердых и жидких телах. Специфика дефектов кристаллического строения вещества. Изучение точечных дефектов (отсутствие, замещение или появление "лишнего" атома). Атомные механизмы диффузии и дефекты кристаллов.
курсовая работа, добавлен 27.10.2011Изучение просветляющих покрытий, цветных оптических и интерференционных стекол. Определение оптических характеристик и типа бесцветного оптического стекла. Определение погрешности измерений коэффициента пропускания. Получение и обработка спектров.
лабораторная работа, добавлен 14.01.2022Оптическая индикатриса кристаллов различных сингоний. Устройство микроскопа, его поверки. Естественный и поляризованный свет, преломление лучей, устройство призмы Николя. Изучение оптических свойств кристаллов. Определение силы двойного лучепреломления.
курсовая работа, добавлен 18.05.2010Физические основы внутреннего фотоэффекта. Образование экситонов и возникновение свободных носителей заряда. Характеристика оптоэлектронной интегральной микросхемы. Схема сканирования и считывание информации. Применение фотодиода в оптоэлектронике.
контрольная работа, добавлен 12.12.2016Исследование влияния эффектов радиационного повреждения сцинтилляционных кристаллов на параметры детекторов каскадных ливней. Анализ методов восстановления оптического пропускания кристаллов на основе оптического облучения и низкотемпературного отжига.
автореферат, добавлен 29.03.2018Характеристика температурной зависимости интенсивности люминесценции. Использование внутрилабораторных конструкторских возможностей для создания измерительного криомикроскопа. Элементы схемы камеры для низкотемпературных микроспектральных исследований.
статья, добавлен 10.06.2016Природа синей окраски каменной соли. Образование коллоидных частиц в природном синем галите. Спектроскопия оптического поглощения. Люминесценция, особенности свечения минералов при рентгеновском возбуждении. Модель роста окрашенных кристаллов галита.
дипломная работа, добавлен 02.11.2010Анализ проблемы двойного бета распада. Исследование температурной зависимости формы импульса и светового выхода сцинтилляционных кристаллов СаМоО4. Расчет ожидаемой чувствительности эксперимента в зависимости от концентрации радиоактивных примесей.
автореферат, добавлен 10.10.2018- 11. Проблемы создания и юстировки оптических систем в многоспектральных оптико-электронных комплексах
Описание технических проблем при создании оптических систем многоспектральных оптико-электронных комплексов. Технология изготовления оптических поверхностей, сборки и юстировки оптических систем. Правила метрологии при тестировании и испытании систем.
статья, добавлен 07.12.2018 Выявление и обоснование физических закономерностей и особенностей технологических методов обработки нелинейно-оптических кристаллов и создание на их основе высокоэффективных параметрических генераторов света ближнего и среднего инфракрасного диапазона.
автореферат, добавлен 03.02.2018Особенности методики измерения температурной зависимости факторов эффективности поглощения тонкопроволочных платиновых болометров для Е- и Н-поляризаций излучения с учетом неравномерности распределения падающей интенсивности. Излучение неодимового лазера.
статья, добавлен 25.03.2016Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников GaN I. и ZnO. Параметры экситонов в монокристаллах и эпитаксиальных слоях GaN на основе анализа спектров отражения и поглощения. Методы оценки механических напряжений в гетероэпитаксиальных слоях.
диссертация, добавлен 25.11.2013Исследование интерференционных явлений в волоконно-оптических устройствах. Изучение характеристик волоконно-оптического интерферометра, содержащего фазовый модулятор. Ознакомление с интерференционными явлениями в аналоговом оптическом устройстве.
лабораторная работа, добавлен 24.04.2022Особенности процесса магнитной восприимчивости материалов. Изучение закономерностей поведения магнитной восприимчивости и ее анизотропии кристаллов твердых растворов Sb2Tе3, (0< ?1) в зависимости от степени легирования и значений электропроводности.
статья, добавлен 14.09.2013Физико-химические свойства "идеальных" кристаллических структур. Основные причины возникновения дефектов в кристаллах. Классификация и типы дефектов кристаллической решетки, их вредное влияние на свойства материалов и характеристики электронных приборов.
реферат, добавлен 27.02.2017Изучение основных энергетических и фотометрических характеристик оптического излучения. Определение факторов, влияющих на их эффективность. Принцип преобразования энергии оптического излучения в конечный сигнал, регистрируемый измерительными приборами.
отчет по практике, добавлен 25.10.2019- 19. Температурная зависимость двухмагнонных возбуждений в пленках феррита висмута легированного неодимом
Анализ итогов проведения высокотемпературных исследований спектров комбинационного рассеяния света эпитаксиальных гетероструктур феррита висмута, допированного неодимом, описание результатов по высокочастотной области спектра и интенсивности рассеяния.
статья, добавлен 29.06.2017 Корреляция между неоднородно распределенными в пространстве локализованными состояниями и особенностями спектра излучения в полупроводниковых эпитаксиальных структурах a3b5. Влияние миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции.
автореферат, добавлен 02.03.2018Изучение устройства поляризационного микроскопа и методики работы на нем, определение осности и оптического знака кристаллов. Измерение угла между оптическими осями двуосных кристаллов. Явления в кристаллах, вырезанных перпендикулярно оптической оси.
лабораторная работа, добавлен 05.04.2020Изучение оптических свойств монокристаллов. Преимущества применения халькогенидов редкоземельных элементов в квантовой электронике. Исследование коэффициента теплопроводности материалов на основе полуторных сульфидов и теллуридов лантана, празеодима.
статья, добавлен 07.12.2018Наличие связи между фрагильностью и ангармонизмом колебаний решетки. Анализ температурной зависимости свободной энергии активации вязкого течения стеклообразующих жидкостей в области перехода жидкость-стекло. Образование флуктуационных "дырок" в стеклах.
автореферат, добавлен 22.05.2018Размерные и безразмерные физические величины. Принципы построения систем размерностей. Международная система единиц SI. Анализ зависимости единицы измерения производной величины от единиц измерения основных величин. Изучение свойств подобных явлений.
реферат, добавлен 12.11.2013Определение верхней температурной границы измерения теплопроводности графита в стационарном тепловом режиме при применении электрического тока в качестве источника нагрева. Исследование температурной зависимости удельного электрического сопротивления.
автореферат, добавлен 01.05.2018