Пленочные нанофазы как новые наноматериалы для кремниевой наноэлектроники
Определение места пленочных нанофаз среди фаз, стабилизированных подложкой. Возможные применения пленочных нанофаз в кремниевых наносхемах, в безрезистной нанолитографии, в кремниевой нанофотонике и наноспинтронике. Условия образования пленочных нанофаз.
Подобные документы
Проектирование и расчет пленочных интегральных схем. Рассмотрение основных принципов проектирования топологической структуры гибридных проектов. Методика расчета основных тонкопленочных элементов и оценка теплового режима гибридных интегральных микросхем.
учебное пособие, добавлен 21.11.2012Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Расчет тонкопленочных резисторов, выбор материала резистивной пленки. Определение геометрических размеров контактных переходов и подгоняемого резистора. Обеспечение электрической прочности и оценка добротности. Расчет тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 11.05.2017- 5. Конденсаторы
Определение последовательных и параллельных емкостей, примеры реализации в ГИС СВЧ. Получение большей емкости на основе гребенчатой структуры, их достоинства. Конденсаторы на основе пленочных структур, их особенности. Безвыводной керамический конденсатор.
реферат, добавлен 04.12.2008 Особенности развития кремниевой микроэлектроники как отрасли. История производства изделий микроэлектроники. Производители логических схем имеющие собственные фабрики. Основные пути развития информационных технологий и возможности снижения затрат.
статья, добавлен 29.05.2017Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Разработка конструкций пленочных резисторов и конденсаторов. Расчет надежности гибридной интегральной схемы. Анализ требований к корпусу. Обеспечение вакуумно-плотной герметизации микросхемы. Создание топологического чертежа механизма и его оптимизация.
курсовая работа, добавлен 08.06.2016Технологические погрешности диэлектрического слоя. Расчет толщины, удельной емкости диэлектрика. Допустимая погрешность активной площади конденсатора. Площадь перекрытия обкладок, геометрические размеры. Топологическая схема пленочного конденсатора.
лабораторная работа, добавлен 25.12.2013Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
статья, добавлен 29.05.2017Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Расчет элементов принципиальной схемы и амплитудно-частотной характеристики усилителя. Выбор навесных и пленочных элементов. Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Результаты экспериментальных исследований влияния подгонки сопротивления и топологических параметров мощных высокочастотных планарных резисторов на их частотные характеристики, разработка рекомендаций по способам подгонки и оптимизации топологии.
статья, добавлен 07.11.2018Характеристика кремниевой объёмной микрообработки. Рассмотрение маскирования полимерами и тонкими плёнками. Изучение прохождения химического осаждения из паровой фазы при пониженном давлении поликристаллического кремния или фосфорокварцевого стекла.
лекция, добавлен 26.10.2013Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Недостатки кремниевой полупроводниковой памяти в электронике. Сравнение различных современных технологий памяти. Проблема сопряжения наноустройств с устройствами традиционной схемотехники. Перспективы уменьшения техпроцесса памяти и процессоров.
статья, добавлен 22.03.2018- 19. Твердотельные СВЧ-модули для радиотехнической аппаратуры и систем миллиметрового диапазона длин волн
Презентация научно-технического и производственно-технологического потенциала исследовательского института "Орион" в области создания твердотельных СВЧ-модулей, которые изготавливаются на собственных кремниевой и арсенид-галлиевой технологических линиях.
статья, добавлен 02.12.2017 Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Как получают наноматериалы и их свойства. Теоретические основы технологий различного масштабно-временного уровня. Зависимость прочности от плотности атомарных дефектов в материале. Наноэлектроника следующих поколений. Динамика развития микроэлектроники.
реферат, добавлен 04.05.2015Динамика уменьшения топологических размеров электронных компонентов. Типичные объекты наноэлектроники, которые могут быть изготовлены современными технологиями микроэлектроники. Примеры использования зондовых методов для создания приборов наноэлектроники.
контрольная работа, добавлен 08.06.2015Транспортные и оптические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в условиях воздействия сильных электромагнитных полей. Характер вольт-амперных характеристик исследуемых систем. Радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке.
автореферат, добавлен 15.02.2018Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Направления по повышению радиационной стойкости кремниевых солнечных элементов. Структура фотопреобразователя с зарядовыми насосами, обеспечивающая стойкость на уровне арсенидгаллиевых солнечных элементов. Спектральная чувствительность преобразователей.
статья, добавлен 28.09.2016