Квазіхімічні реакції між дефектами в CdTe, легованому елементами ІІІ-А підгрупи
Вирощування методом Бріджмена монокристалів нелегованих та легованих металами ІІІА-підгрупи CdTe. Вплив природи та концентрації точкових дефектів в CdTe на монокристали методом вимірювання високо- та низькотемпературних електрофізичних характеристик.
Подобные документы
Розробка кристалохімічних моделей домінуючих точкових дефектів у кристалах бінарних сполук CdTe, HgTe. Аналіз механізмів утворення на їх основі твердих розчинів, що визначають властивості матеріалу, необхідні для пристроїв напівпровідникової техніки.
автореферат, добавлен 29.10.2015Огляд даних про структуру точкових дефектів нелегованого кадмій телуриду. Дослідження процесу моделювання спектру точкових дефектів в легованому кристалі. Властивості кристалів кадмій телуриду, легованих Фосфором, Арсеном, Стибієм, Бісмутом та Ванадієм.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження концентраційних і температурних залежностей швидкості розчинення, а також її залежності від швидкості перемішування розчину. Вивчення хімічної взаємодії монокристалів CdTe із іодвмісними розчинами з використанням методу диску, що обертається.
автореферат, добавлен 29.08.2015Хімічна взаємодія монокристалічної поверхні CdTe із іодвмісними (І2–розчинник) та іодвиділяючими розчинами (Н2О2-НI-розчинник). Вплив кристалографічної орієнтації поверхні на швидкість і механізм її розчинення. Морфологія та стехіометричний склад.
автореферат, добавлен 24.07.2014Изучение адсорбции оксида углерода и аммиака на нанопленках твердых растворов и бинарных компонентов системы CdS–CdTe с использованием комплекса методов. Установление закономерностей протекания адсорбционных процессов в зависимости от состава системы.
статья, добавлен 02.02.2019Дослідження взаємодії компонентів у потрійних системах (La, Ce, Pr, Nd, Sm)-Ga-Si і Sm-Ga-(Ge, Sn). Структура та властивості нових сполук галію з р-елементами IV групи та рідкісноземельними металами церієвої підгрупи. Розгляд електронної будови атомів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Вплив фізико-хімічних та технологічних факторів на склад та структуру кристалів CdSb, CdTe. Методи обробки поверхні травильними композиціями та склад отримуваної поверхні. Стабільність металічних плівок і фільтрів по відношенню до дії зовнішніх факторів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вирощування методом Бріджмена монокристалів бездомішкового та легованого кадмію телуриду і проведення двотемпературного відпалу зразків у парах компонентів. Дефектна підсистема бездомішкового і легованого кадмію телуриду при кімнатній температурі.
автореферат, добавлен 07.08.2014Характер фізико-хімічної взаємодії монокристалів з водними розчинами. Побудова відповідних діаграм Гіббса, встановлення концентраційних меж розчинів за характером їх дії на поверхню напівпровідникових матеріалів. Режими обробки поверхонь монокристалів.
автореферат, добавлен 27.09.2014Закономірності взаємодії компонентів в твердому і в рідкому стані в квазібінарних і квазіпотрійних системах за участю купрум халькогенідів та халькогенідів підгрупи цинку. Оптимальні технологічні умови вирощування монокристалів високоплавких сполук.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження фізико-хімічної взаємодії легованого домішками Ga, Ge, Sn, As+Cl, Sb кадмій тeлуриду з бромвиділяючими розчинами систем H2O2–HBr–розчинник і розробка травильних композицій та режимів обробки поверхні монокристалів вказаних напівпровідників.
автореферат, добавлен 07.08.2014Вплив концентрації і температури на швидкість хімічної реакції, розрахунок температурного коефіцієнту. Зміщення хімічної рівноваги при зміні концентрації і температури реагуючих речовин. Визначення концентрації розчину лугу, його титру методом титрування.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2017Положення в періодичній системі та поширеність у природі Fe, Ru та Os. Характеристика заліза, рутенію, осмію, їх фізичні та хімічні властивості, методи видобування та застосування. Сполуки з іншими елементами та реакції, що відбуваються під час взаємодії.
реферат, добавлен 16.04.2012- 14. Вплив фінішної хімічної обробки на формування і властивості поруватого кремнію та кадмій телуриду
Встановлення фізико-хімічних закономірностей впливу фінішної хімічної обробки поверхні кристалів на процес формування поруватих і наноструктурованих шарів. Вивчення кореляцій між способом обробки й властивостями структурно-модифікованих Si і CdTe.
автореферат, добавлен 13.08.2015 Закономірності перебігу реакції розкладу D-глюкози у лужному середовищі. Вплив концентрації гідроксид-іонів на процес утворення інтермедіатів. Дослідження складу низькомолекулярних продуктів розкладу D-глюкози методом газхроматографії-масспектрометрії.
статья, добавлен 06.04.2018Дослідження точкових дефектів у плівках і кристалах селеніду свинцю, легованих вісмутом і талієм. Фактори впливу на структуру і електричні властивості плівок PbSe. Оптимізація параметрів напівпровідникового матеріалу для потреб опто- і мікроелектроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Характер взаємодії компонентів в потрійних системах Sc-РЗМ відповідної церієвої підгрупи. Магнітні та електрокорозійні властивості тернарних сполук систем Sc-{Ce,Pr,Nd,Sm,Gd}-Si. Ізотермічні перерізи діаграм стану систем Sc-{La,Pr,Nd}-Si при 870К.
автореферат, добавлен 21.11.2013Бінарні халькогеніди підгрупи Арсену як матеріали, які використовуються у техніці. Аналіз відомих халькогенідів, закономірності у властивостях при переході від простих речовин до складних бінарних сполук, прогнозування термоелектричних параметрів.
статья, добавлен 28.11.2016Встановлення координат всіх моно- і нонваріантних процесів. Побудова проекції поверхонь ліквідусу, ізотермічних перерізів та просторових діаграм стану. Розроблення нового складу сплавів та розчин-розплавним методом вирощення монокристалів CdGa2Se4.
автореферат, добавлен 14.09.2015Дослідження кінетичних особливостей розчинення CdTe і Сd1-xМnxТe в іодвмісних сумішах І2 – СН3ОН, І2 – ДМФА, І2 – НІ та іодвиділяючих композиціях потрійних систем: Н2О2 – НІ оксалатна, Н2О2 – НІ тартратна, Н2О2 – НІ лактатна і Н2О2 – НІ цитратна кислоти.
автореферат, добавлен 12.07.2015Дослідження хімічних властивостей бездомішкового нестехіометричного стануму телуриду, огляд наявності двох електровалентних станів Sn2+ і Sn4+ та розроблення моделі точкових дефектів у Sn0,984Te із дво- і чотиризарядними вакансіями у катіонній підґратці.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дослідження тензометричних характеристик тонких шарів антимоніду індію, як нелегованих, так і легованих із різною концентрацією домішки телуру в широкому діапазоні деформацій. Специфіка застосування тонких шарів InSb як чутливих елементів датчиків тиску.
статья, добавлен 29.06.2020Research and characterization of the most common used solar cells which are based on silicon technology. Determining width of the space charge region and quantum yield of solar cells. Influence and analysis of recombination losses on efficiency.
статья, добавлен 30.07.2016Механізм впливу різних форм кисню (матричного, у вигляді поверхневих функціональних груп та розчиненого в електроліті) на сорбційну та відновну здатність активного вугілля (АВ). Електрохімічні характеристики АВ в безкисневому та кисневмісному середовищах.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дана робота присвячена дослідженню взаємодії з воднем тернарних інтерметалічних сполук Nd5Co2B6 (СТ Pr5Co2B6), Nd6Fe13Ga (СТ Nd6Fe13Si) та RNiIn (R= La, Ce, Nd, Pr; СТ ZrNiAl). Встановлено, що характер гідридоутворення залежить від температури процесу
диссертация, добавлен 27.04.2014