Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
Подобные документы
Механізм генерації активаторних центрів забарвлення в лужно-галоїдних кристалах, активованих талієм. Розрахунок наростання концентрації активаторних центрів забарвлення в процесі опромінення кристала хлориду калію, легованого талієм, іонізуючою радіацією.
статья, добавлен 07.12.2016Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014Випромінювальні та спектрально-кінетичні параметри зонної структури кристалів LiBaF3. Характеристика процесів втрати енергії мінералу при її переносі від гратки до центрів світіння. Виявлення термічної стійкості забарвлення в опромінених кристалах.
автореферат, добавлен 25.02.2014Оцінка ролі іонів у радіаційно-стимульованих процесах в сцинтиляційних кристалах CsI, CsI(Na) і CsI(Tl). Процеси радіаційного дефектоутворення в напівпровідниках. Утворення центрів свічення та центрів забарвлення в сцинтиляційних кристалах йодиду цезію.
автореферат, добавлен 24.02.2014Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014Суть методу термічного висвічування. Розробка установки для дослідження термолюмінесценції, що дозволяє визначати кінетичні параметри центрів локалізації носіїв заряду, центрів рекомбінації, їх енергетичні характеристики. Опис експериментальної установки.
статья, добавлен 29.09.2016Спектри фотолюмінесценції виготовлених зразків залежно від температури та інтенсивності оптичного збудження. Механізми випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, що відповідають за окремі смуги фотолюмінесценції нанокристалів CdS.
статья, добавлен 13.10.2016- 10. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 - 11. Багатофункціональний електрохемілюмінесцентний елемент з плівками Ленгмюра-Блоджетт на електроді
Комп'ютерне моделювання основних фізичних процесів: переносу речовини, носіїв заряду та енергії електронного збудження, що протікають під час роботи електрохемілюмінесцентного елемента з модифікованим робочим електродом, їх експериментальні дослідження.
автореферат, добавлен 14.09.2014 Комплексне спектроскопічне дослідження абсорбційних, люмінесцентних, сцинтиляційних і термолюмінесцентних властивостей чистих і активованих рідкісноземельними іонами кристалів LіCaAlF6 і LіSrAlF6 у широкому діапазоні енергій збудження, часів реєстрації.
автореферат, добавлен 26.08.2015Поняття дихроїзму, використання методу фотоіндуктованого дихроїзму для побудови дипольної моделі МА-центрів забарвлення в кристалах SrCl2-Me+. Дослідження Феофілова, Камплянського. Схема спектрів поглинання кристала після рентгенівського опромінення.
статья, добавлен 27.12.2016Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
автореферат, добавлен 14.09.2015Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Виявлення специфічних механізмів перенесення тепла у молекулярних кристалах та їхніх розчинах при температурах порядку і вище дебаєвських в орієнтаційно-впорядкованих та орієнтаційно-невпорядкованих фазах молекулярних кристалів з фазовими переходами.
автореферат, добавлен 25.09.2015Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.
автореферат, добавлен 02.08.2014Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
автореферат, добавлен 27.02.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Синтез кристалів хлористого стронцію, легованих іонами талію та спів активаторами. Визначення характеру входження іонів талію в гратку кристала, їх концентрації, кількісних параметрів. Розкриття специфіки механізмів генерації талієвих центрів забарвлення.
автореферат, добавлен 24.02.2014Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Роль структурних комплексів у формуванні оптичних властивостей самоактивованих кисневовмісних люмінесцентних сполук. Дослідження природи центрів люмінесценції таких сполук та спільних механізмів свічення. Пошук і розвиток нових люмінесцентних матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 23. Центри люмінесценції і центри захоплення в кристалічних системах галоїдних сполук кадмію і свинцю
Експериментальне дослідження структур центрів люмінесценції і центрів захоплення в кристалічних системах, що складаються з галоїдних сполук кадмію і свинцю. Розрахунки спектрів поглинання кристалічних систем, складених з галоїдних сполук кадмію і свинцю.
автореферат, добавлен 25.04.2014 Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Аналіз ефективності генерації далекого інфро-червоного випромінювання низькорозмірними напівпровідниковими гетероструктурами та ультратонкими металевими плівками, використовуючи нелінійні ефекти, міжпідзонні електронні переходи в металевих плівках.
автореферат, добавлен 22.06.2014