Моделирование параметров МОП-транзисторов в широком температурном диапазоне
Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
Подобные документы
Применение метода векторной аппроксимации для оценки параметров полюсной модели передаточной функции, описывающей микроволновые устройства в широком диапазоне частот. Численное моделирование двухпортового микрополоскового фильтра в заданной полосе.
статья, добавлен 06.11.2018Измерение основных параметров и построение графика АЧХ усилителя звуковой частоты на интегральной микросхеме в диапазоне 20 Гц - 30 кГц. Использование инструментов программного математического пакета MathCAD 14 при расчетах и построении графиков.
лабораторная работа, добавлен 13.10.2016Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Методика измерения тока потребления инверторов. Способ измерения характеристик кольцевого генератора. Влияние радиации на параметры КМОП транзисторов. Определение параметров Spice модели. Моделирование схем инвертора и кольцевого генератора в LTspice.
курсовая работа, добавлен 28.11.2019Понятие, классификация и принцип работы электронного усилителя. Типы электронных усилителей, их параметры и характеристики. Сравнительный анализ основных параметров усилителей с различным включением транзисторов в схемах. Разработка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Исследование влияния тепловых эффектов на важные характеристики субмикронных МОП ("металл-оксид-полупроводник") транзисторов. Построение тепловых моделей основных параметров МОПТ от температуры. Проверка корректности моделей на литературных источниках.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Методы и средства технического зрения. Экспериментальное подтверждение эффективности применения времяпролетных PMD-камер для определения пространственного положения объекта вблизи (0,2-5 м) водной поверхности в широком диапазоне условий внешней среды.
статья, добавлен 28.10.2018Исследование основных параметров дифференциальных усилителей. Качественные характеристики дифференциальных каскадов и преимущества использования полевых транзисторов. Методы снижения синфазных помех. Схемы подключения усилителей и их специальные виды.
контрольная работа, добавлен 11.12.2010Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.
реферат, добавлен 21.06.2014Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018Параметры межсоединений в различных технологических базисах. Моделирование базисных логических элементов. Функциональная схема мультиплексора. Этап схемотехнического проектирования. Период тактового сигнала. Расчет основных параметров транзисторов.
курсовая работа, добавлен 01.12.2011Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Схемы цепей питания транзисторов. Основные элементы транзисторного усилителя с трансформаторной связью, специфические черты и принцип действия. Особенности схемы усиления сигнала на полевых транзисторах. Действие резонансного и широкополосного усилителей.
лекция, добавлен 21.10.2014Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Контроль миниатюрных электронных компонентов и многовыводных микросхем, который достигается за счет применения специализированных устройств - зондовых станций. Технологические решения для уменьшения размеров, упрощения обеспечения температурных режимов.
статья, добавлен 03.05.2023Электротехническое моделирование и его основание на точных математических моделях элементов электрической схемы. Доказательство алгоритмического подхода для решения задачи, основанный на обучении нейронной сети. Обеспечение аппроксимации функции.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019