Напівпровідникові приладові структури
Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
Подобные документы
Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb і епітаксіальних шарів GaAs в ультразвуковому полі. Можливий вплив ультразвуку на електрофізичні властивості монокристалів твердого розчину, формування шарів росту в кристалах.
автореферат, добавлен 28.09.2015Електрооптичні та фотовольтаїчні елементи мікроелектроніки на основі нанорозмірних плівок електропровідних полімерів поліортометоксианіліну. Термовакуумне напилення молекулярних напівпровідників. Фоточутливі гетероструктури та їх фізичні властивості.
автореферат, добавлен 25.09.2015Аналіз температурно-часових характеристик процесу термообробки монокристалів напівізолюючого нелегованого GaAs з різною стехіометрією й структурою дислокацій. Розробка технологічних режимів керування електрофізичними параметрами епітаксійних шарів GaAs.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розробка технології створення нанорозмірних плівок електропровідних полімерів та встановлення впливу технологічних умов термовакуумного напилення на їх структурні та електрофізичні властивості. Створення швидкодіючих електрооптичних модуляторів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.
лекция, добавлен 15.03.2016Поняття тунелювання хвиль. Аналіз традиційного та імпедансного методів моделювання квантово-розмірних структур на прикладі несиметричного потенціального бар’єра. Аналіз особливостей тунелювання та встановлення умов узгодженого надбар’єрного проходження.
статья, добавлен 13.02.2016Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Теорія і практика застосування електронних, іонних і напівпровідникових приладів у пристроях, системах і установках. Освоєння та використання ультракоротких хвиль. Частотні властивості варикапів, принцип дії, схеми включення та основні характеристики.
курсовая работа, добавлен 22.11.2014Методи математичного моделювання дозиметричних властивостей неохолоджуваних напівпровідникових детекторів. Розробка моделі процесів, що протікають в напівпровідникових детекторах при взаємодії з випромінюванням. Метод вимірювання дози випромінювання.
автореферат, добавлен 28.08.2015Розробка теоретичних положень синтезу схем напівпровідникових вентильних перетворювачів із заданими властивостями на основі головної топологічної матриці. Основні топологічні закономірності структурного синтезу поліпшених схем перетворювальних пристроїв.
автореферат, добавлен 29.08.2013Результати синтезу та дослідження класичної та конвеєрної структур обчислювача обернено пропорційної функції на число-імпульсному квадраторі (ЧІК). Аналіз максимальної частоти роботи конвеєрної структури. Аналіз точності структури обчислювача на ЧІК.
статья, добавлен 26.01.2017Методи ізоляції елементів напівпровідникових пластин кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією, контроль їх товщини. Фізико-механічні характеристики пластин в процесі формоутворення. Розробка комп'ютерної моделі автоматичного операційного контролю.
автореферат, добавлен 28.07.2014Методи неруйнівного контролю виробів із діелектричних матеріалів. Розробка способів високоточного контролю складу речовин і відповідних алгоритмів обробки результатів контролю для виключення прогресуючих адитивних та мультиплікативних складових похибок.
автореферат, добавлен 27.08.2014Реалізація методу оцінювання структурних пошкоджень багатошарових фотографічних матеріалів, що базується на властивостях теорії розсіяння і поглинання світла. Дослідження структури різних дефектів і точності їх виділення на зображенні цифрованих БФМ.
автореферат, добавлен 07.08.2014Проблема здійснення контролю перевезень небезпечних вантажів територією України. Поняття автоматизованої інформаційно-керуючої системи. Функції та структура системи Центру управління перевезень радіоактивних матеріалів. Побудова моделі системи ЦУП РМ.
статья, добавлен 27.07.2016Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Дослідження та визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Розробка цифрової нелінійної моделі генерації випромінювання імпульсними рентгенівськими трубками.
автореферат, добавлен 29.09.2015Теоретичні методи дослідження структури матеріалів та електрофізичних характеристик елементів інтегральних схем при дії рентгенівського, гама та нейтронного випромінювання. Засоби підвищення радіаційної стійкості елементів твердотільної електроніки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Аналіз кількісного показника неузгодженості чутливості штучної нейронної мережі з вхідними даними. Особливість розробки методу параметричного синтезу активаційної функції нейрону. Розв'язання практичних задач інтелектуального розгляду показників.
автореферат, добавлен 26.08.2015Характеристика нових структур, методів синтезу автоматів Мілі на лічильнику з розділенням кодів станів. Запропоновано використання лінійних послідовностей станів чотирьох видів, ефективне застосування яких приводить до мінімізації логічної схеми автомата.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз планетарних фрикційних співвісних передач та впливу застосування вуглекомпозиційних матеріалів на роботу передач. Вживання композиційних матеріалів із спеціальними наповнювачами. Конструкція сателіта і взаємодіючих пар в гібридному виконанні.
статья, добавлен 14.06.2013Розробка терморезисторних елементів струмового захисту радіоелектронної апаратури на основі керамічних напівпровідникових композитів CuxNi1-x-yCo2yMn2-уO4. Дослідження термокомпозиційних особливостей їх отримання, статистичної моделі терморезисторів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Аналіз проблеми оптимізації структури та параметрів волоконно-оптичних мереж передачі даних спеціального призначення. Розробка методів синтезу структури та параметрів волоконно-оптичних систем передачі даних з урахуванням можливостей засобів зв'язку.
статья, добавлен 27.07.2016Методи аналізу та синтезу напівпровідникових перетворювачів та принципи створення мікропроцесорних систем управління ними. Способи формування перехідного процесу. Апаратні пристрої, які дозволяють підвищити швидкодію мікропроцесорним системам управління.
автореферат, добавлен 15.11.2013Напівпровідникові діоди і транзистори. Тунельні діоди й їх параметри. Біполярні і польові транзистори. Генератори і підсилювачі на напівпровідникових приладах. Фізичні основи квантових приладів й енергетичні спектри. Квантові прилади оптичного діапазону.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013