Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
Подобные документы
Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014Теорія електронних і фононних температурних хвиль у напівпровідниках скінченої довжини, які виникають у результаті об’ємного поглинання модульованого світла. Процеси нестаціонарних термодифузійних потоків у субмікронних напівпровідникових плівках.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Розгляд високочастотних ефектів, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/Alx, Gax, As і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження впливу магнітодомішкових станів електронів у нормальних металах, напівметалах і вироджених напівпровідниках на властивості спіральних і магнітоплазмових хвиль. Розрахунок характеристик нових типів хвиль: поляризації, спектру і швидкості.
автореферат, добавлен 05.01.2014- 12. Розподіл поля в околі тонкого металевого циліндра при його опроміненні електромагнітними хвилями
Дослідження ефекту аномально великого поглинання випромінювання при взаємодії електромагнітної хвилі з дуже тонким металевим циліндром. Вивчення співвідношень між його діаметром і довжиною хвилі. Аналіз вектора електричного поля та ліній потоку енергії.
статья, добавлен 26.07.2016 Принцип суперпозиції електричних полів. Визначення одиниці напруженості електричного поля. Формулювання найбільш відомого принципу суперпозиції в електростатиці. Циркуляція вектора напруженості вихрового електричного поля. Потенціал електричного поля.
реферат, добавлен 06.04.2015Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Розвиток теорії повздовжніх флуктуацій струму в анізотропних напівпровідниках і встановленні на її основі головних закономірностей сумісної дії гріючого носії електричного та класично сильного магнітного полів і температури на спектральну щільність шумів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Випадок повного внутрішнього відбивання, коли кути падіння хвилі є більшими від граничного кута. Умова неперервності тангенціальних складових електричного поля на границі розділу середовищ. Фази падаючої і відбитої хвиль. Зсув фази хвилі при відбиванні.
задача, добавлен 29.04.2013Історія отримання золота, його властивості та застосування в промисловості. Розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Залежність розподілу поля та заряду від координат. Нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду. Кількість та густина заряду.
курсовая работа, добавлен 18.11.2014Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Існуючі методи вирівнювання електричного поля в зонах підвищеної напруженості та на виході стрижня із пазу. Можливості градування ізоляції та можливість виникнення поверхневих та часткових розрядів в зоні нерівномірної напруженості електричного поля.
статья, добавлен 06.02.2017Характеристика механізмів спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках через локалізовані електронні пари та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Врахування надтонкого поля в квантовій теорії електрично детектованого магнітного резонансу.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013