П’єзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію р-типу провідності і сенсори на їх основі
Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
Подобные документы
Теорія деформаційного потенціалу й експериментальних даних поздовжнього п’єзоопору в кристалографічному напрямку сильнолегованих монокристалів германію в області виключно іонного розсіювання. Розрахунок ефективної маси густини станів для 1-мінімуму.
статья, добавлен 25.03.2016Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Теоретичне й експериментальне вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі кристиалічного кремнію. Збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво.
автореферат, добавлен 19.06.2018Дослідження фізичних аспектів функціонування та створення багатофункціональних сенсорів фізичних величин на основі електрооптичного ефекту при холестерико-нематичному переході. Характеристика впливу селективної компоненти на характер розсіювання світла.
автореферат, добавлен 06.07.2014Визначення руху глибокого рівня галію відносно країв дозволених зон під дією тиску. Проведення дослідження польових і температурних залежностей питомого опору твердих розчинів зі стабілізованим РФ в забороненій зоні. Виділення аномального ефекту Холла.
автореферат, добавлен 25.02.2015Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження властивостей алмазоподібних плівок вуглецю. Вивчення прихованих шарів карбіду кремнію, синтезованих високодозовою імплантацією вуглецю в монокристалічний кремній. Механізми гетерування домішок та пасивації рекомбінаційно-активних центрів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження кінетичних ефектів у твердих розчинах кремній-германій. Природа кінетичних ефектів у кристалах n-кремнію з ізовалентною домішкою германію. Вплив ізовалентної домішки германію на інтенсивність утворення дефекту радіаційного походження A-центра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Оцінка дії ультразвуку на концентрацію радіаційних електрично-активних дефектів в монокристалічному кремнії. Розгляд впливу на кінетику фотоструму. Аналіз проростаючих дислокацій епітаксіальних плівок. Дослідження фотолюмінесценції поруватого кремнію.
автореферат, добавлен 25.07.2014Розгляд високочастотних ефектів, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/Alx, Gax, As і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла.
автореферат, добавлен 27.04.2014Вивчення застосування явища поверхневого плазмон-поляритонного резонансу в тонких шарах золота та срібла. Вплив оптичних параметрів шаруватої структури на чутливість сенсору та дослідження впливу зовнішнього електричного потенціалу на параметри сенсору.
автореферат, добавлен 27.04.2014Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Гальваномагнітні дослідження фізичних властивостей перспективних матеріалів для інфрачервоної оптоелектроніки і спінової електроніки. Аналіз температурних і польових залежності ефекту Холла, питомого опору та намагніченості в феромагнітних розчинах.
автореферат, добавлен 29.09.2015Обчислення енергії іонізації мілких донорів для випадку L1 та дельта 1 моделі зони провідності монокристалів германію на основі варіаційного методу та теорії збурень. Порівняння розрахунків з експериментальними даними. Врахування хімічного зсуву.
статья, добавлен 27.07.2016Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Моделі для реалізації методу математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту у способі вирощування тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Експериментальні дослідження структури і електричних властивостей тонких плівок.
автореферат, добавлен 23.11.2013Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження спектрів інфрачервоного поглинання монокристалічного кремнію з домішкою германію після опромінення нейтронами реактора. Зберігання рівномірності у розподілі ростових дефектів (дислокацій). Залежність концентрації дивакансій від домішки кисню.
статья, добавлен 07.10.2013Створення установки для вимірювання кутових залежностей інтенсивностей поляризованого світла, розробка надійного методу визначення оптичних сталих ультратонких плівок та визначення їх товщини. Дослідження розмірних ефектів та кута брюстера тонких плівок.
автореферат, добавлен 07.03.2014Розробка загальної теорії обчислення ефективної нелінійної діелектричної проникності дисперсних систем. Дослідження ефекту підсилення локального поля в композитах на основі нелінійного діелектрика і металу. Розрахунок оптичних характеристик тонких плівок.
автореферат, добавлен 27.04.2014Аналіз відомих експериментальних результатів і теоретичних моделей виникнення ефекту далекодії у твердих тілах при енергетичних зовнішніх впливах. Дослідження особливостей монокристалів кремнію, опромінених високоенергетичними ядрами водню та гелію.
статья, добавлен 11.09.2013Дослідження оптичних та люмінесцентних властивостей поруватого кремнію і структур на його основі. Розробка лабораторної технології та вивчення фізико-хімічних особливостей формування і морфології шарів поруватого кремнію, визначення їх оптичних констант.
автореферат, добавлен 20.07.2015