Методы исследования состава и структуры материалов микроэлектроники
Этапы развития методов исследования состава, структуры материалов микроэлектроники. Рассмотрение истории развития атомно-силовой микроскопии. Волновые функции электронов в атоме. Современная сканирующая туннельная микроскопия материалов микроэлектроники.
Подобные документы
Физические принципы работы атомно-силовой микроскопии. Применение трехмерного изображения поверхности материала в научных исследованиях и промышленном производстве. Изучение поверхностных дефектов материалов. Анализ сканирующего зондового микроскопа.
контрольная работа, добавлен 22.04.2019Особенности развития кремниевой микроэлектроники как отрасли. История производства изделий микроэлектроники. Производители логических схем имеющие собственные фабрики. Основные пути развития информационных технологий и возможности снижения затрат.
статья, добавлен 29.05.2017Задачи и структура отдела микроэлектроники. Анализ процесса производства и контроля качества микрополосковых СВЧ плат. Принципиальная схема тактового генератора. Изучение технологического маршрута изготовления толстопленочных интегральных микросхем.
отчет по практике, добавлен 16.02.2015Атомно-силовая микроскопия и принципы обработки изображений после исследования в приборе NanoEducator. Определение рабочей частоты и добротности зондового датчика, амплитуды, рельефа и сигнала фазового сдвига по поверхности экспериментального образца.
методичка, добавлен 08.09.2015Расчёт выходных электрических характеристик микроэлектроники средствами подсистемы схемотехнического проектирования. Моделирование наводок через взаимные ёмкости и индуктивности. Расчёт поля, создаваемого горизонтальным диполем вблизи границы раздела.
статья, добавлен 05.11.2018Радиоволновая дефектоскопия материалов, покрытий, изделий. СBЧ толщинометрия полимеров. Контроль структуры и состава материалов СВЧ методами. СВЧ влагометрия материалов. Расчет прямоугольных и круглых волноводов. Волноводные излучатели и рупорные антенны.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Суть закона Мура, его использование, темпы развития полупроводниковой индустрии. Метод производства микропроцессоров в Intel. Спиновые волны, многократное использование электронов, углеродные и кремниевые нанотрубки, трехмерные многослойные микросхемы.
реферат, добавлен 17.04.2016Наличие способностей материалов к поглощению высокочастотного излучения - важнейший фактор, который зависит от их состава, структуры. Широкополосность - одно из наиболее ключевых преимуществ нерезонансных магнитных радиационно-поглощающих материалов.
статья, добавлен 01.03.2019Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Сканирующий зондовый микроскоп. Комплексное изучение свойств поверхностей материалов от микронного до атомарного уровня. Способы исследования поверхностей. Силовое взаимодействие между зондом и поверхностью зондовых датчиков. Оптическая система АСМ.
реферат, добавлен 11.01.2015Зарождение микроэлектроники как научно-технического направления, обеспечивающего создание радиоэлектронной аппаратуры. Интегральные микросхемы и этапы развития интегральной электроники. Роль тонкопленочной технологии в развитии интегральной электроники.
реферат, добавлен 20.06.2016Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Современные тенденции техники радиоприема в последние десятилетия. Взаимосвязанные процессы развития интегральной микроэлектроники, внедрение методов и средств цифровой обработки сигналов и вычислительной техники. Диагностика радиоприемника "Signal-301".
курсовая работа, добавлен 12.09.2014Обзор информативных параметров ЭП. Способы измерения состава и структуры материалов. Термоэлектрическая обработка информации. Исследование конструктивных параметров преобразователя. Принцип действия трибоэлектрических и электростатических приборов.
реферат, добавлен 07.11.2013Свойства диэлектриков; определение относительной диэлектрической проницаемости материалов. Измерение коэффициента термического расширения электровакуумных стёкол. Электрические свойства проводниковых материалов. Исследование параметров сегнетоэлектриков.
лабораторная работа, добавлен 25.09.2017Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015Краткая история развития микроэлектроники и схемотехники. Триггерные схемы. Виды регистров: последовательные (сдвигающие), параллельные, параллельно-последовательные и реверсивные. Запоминающие устройства. Особенности построения блоков памяти на БИС ПЗУ.
курс лекций, добавлен 04.10.2013Динамика уменьшения топологических размеров электронных компонентов. Типичные объекты наноэлектроники, которые могут быть изготовлены современными технологиями микроэлектроники. Примеры использования зондовых методов для создания приборов наноэлектроники.
контрольная работа, добавлен 08.06.2015Исследования в области квантовой физики, наностуктур, наноэлектроники, кристллофизики. Инвертированный атмосферный растровый электронный микроскоп. Интеграция методов сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионного спектрометрического анализа.
доклад, добавлен 12.11.2013Как получают наноматериалы и их свойства. Теоретические основы технологий различного масштабно-временного уровня. Зависимость прочности от плотности атомарных дефектов в материале. Наноэлектроника следующих поколений. Динамика развития микроэлектроники.
реферат, добавлен 04.05.2015- 21. Моделирование радиационных эффектов в системах автоматизированного проектирования микроэлектроники
Основные методы моделирования радиационных эффектов в микросхемах. Методика проектирования, информационное и лингвистическое обеспечение. Методы оценки стойкости микросхем к радиации и переходным эффектам. Пороговое напряжение в режиме сильной инверсии.
статья, добавлен 28.04.2017 Классификация, параметры и характеристики ЛЭ, требования к ним. Способы представления логических переменных электрическими сигналами. Области изменения входных и выходных сигналов ЛЭ. Определение помехоустойчивости ЛЭ по его передаточной характеристике.
презентация, добавлен 05.01.2014Оценка развития и определение требований к аппаратуре и изделиям микроэлектроники нового поколения двойного применения. Разработка математических моделей управления предприятиями ЭП и межотраслевой интеграцией. Обзор программной реализации обеспечения.
автореферат, добавлен 30.01.2018Миниатюризация как микромодульная компоновка компонентов с применением интегральной и функциональной микроэлектроники. Разработка радиодеталей в миниатюрном исполнении. Критерии, определяющие степень миниатюризации и выбор оптимальных размеров изделия.
реферат, добавлен 26.12.2016Значение однокристальных цифровых устройств в общей системе средств микроэлектроники. Проектирование структурной организации, набора команд и аппаратурно-программного обеспечения микросхемы, предназначенной для управления электронными устройствами.
контрольная работа, добавлен 16.12.2013