Исследование процессов инжекционной модификации в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и приборах на их основе
Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
Подобные документы
Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Основной физический механизм компенсации эффекта сдвига фазы отражения. Проект фильтра с разными длинами волн путем изменения толщины диэлектрических слоев. Экспериментальная реализация всенаправленного NBF в традиционной структуре металл-диэлектрик.
статья, добавлен 11.03.2011Формирование аморфных наногранулированных пленок типа "металл-диэлектрик" методом ионно-лучевого напыления на лавсановой подложке большой площади. Проведение исследования распределения толщины, концентрации и относительного объема металлической фазы.
статья, добавлен 05.11.2018Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
статья, добавлен 30.05.2017Выращивание аморфных наногранулированных пленок типа "металл-диэлектрик" методом ионно-лучевого напыления на лавсановой подложке большой площади. Изучение распределения толщины, концентрации и относительного объема металлической фазы по площади пленок.
статья, добавлен 07.11.2018Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
статья, добавлен 30.05.2017Метод получения термостабильной компоненты инжекционно стимулированного отрицательного заряда в МДП-структурах. Особенности влияния электронного облучения заряда, локальных неоднородностей МДП-структур на процессы. Способ изготовления МДП-приборов.
автореферат, добавлен 31.03.2018Физические процессы на контакте "металл-полупроводник". Термоэлектронная эмиссия. Поверхностные состояния. Образования режимов обеднения, обогащения и инверсии в приповерхностном слое полупроводника. Зонные диаграммы, соответствующие этим режимам.
реферат, добавлен 18.11.2015Особенность применения комплементарной структуры металл-оксид-полупроводников транзисторов в аналоговой микросхемотехнике. Расчет коэффициента передачи синфазного напряжения. Характеристика симметричного дифференциального каскада с каскадной нагрузкой.
статья, добавлен 29.05.2017Гальваномагнитные явления, магнетосопротивление, эффект Эттингсгаузена. Концентрация 3d-электронов проводимости в зависимости от энергии. Классический эффект Холла и его приложения. Двумерные металл-диэлектрик-полупроводники – структуры и гетероструктуры.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Численное диффузионно-дрейфовое моделирование процессов переноса и накопления носителей заряда в гетероструктуре TiO2 / перовскит / полупроводник p-типа. Анализ фотоэлектрических характеристик солнечных элементов. Обоснование оптимальной толщины пленки.
статья, добавлен 30.07.2017Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012Решение задачи о прохождении падающей плоской гармонической электромагнитной волны вглубь металла. Введение формулы, описывающей температурный портрет в системе, а также асимптотической формулы для температуры на границе раздела сред "металл-диэлектрик".
статья, добавлен 05.11.2018Диэлектрик как вещество, практически не проводящее электрический ток. Концентрация свободных носителей заряда в диэлектрике. Способность диэлектрика поляризоваться во внешнем электрическом поле. Тепловое старение внутренней изоляции, снижение прочности.
реферат, добавлен 03.10.2013Описание двумерных численных моделей, основанных на решении уравнений переноса носителей с помощью аппарата конечных разностей. Анализ математических моделей состояния металлических контактов области полупроводника и диэлектрика по уравнению Пуассона.
контрольная работа, добавлен 23.10.2014Большая продолжительность воздействия электрического поля на жидкий диэлектрик. Величинп напряжения, при котором происходит пробой диэлектрика. Влияние электрического поля на электропроводность полупроводников. Магнитные потери, причины их возникновения.
контрольная работа, добавлен 06.01.2016Электрическая характеристика явления защелки. Создание больших, сверхбольших интегральных схем. Варианты масштабирования приборов со структурой металл-оксид-полупроводник. Исследование устойчивости сверхбольших интегральных схем к эффекту "защелкивания".
статья, добавлен 08.04.2019Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Особенности электронного туннелирования через неупорядоченные наноразмерные слои диэлектрика. Аналитические выражения для транспортных характеристик контактов металл–изолятор–металл с неоднородной диэлектрической прослойкой и универсальные соотношения.
статья, добавлен 25.03.2016Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015