Физика, технология и элементная база современной электроники. Достижения России
Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
Подобные документы
Устройство и принципы работы приборов наноэлектроники: транзисторов на резонансном туннелировании и эффекте кулоновской блокады, цифровых переключающих приборов на атомных и молекулярных шнурах. Усовершенствование традиционной элементной базы электроники.
презентация, добавлен 24.05.2014Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.
методичка, добавлен 26.09.2017Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Элементная база полупроводниковых приборов, интегральных схемных и пассивных элементов. Технические характеристики аналоговых устройств. Элементы и узлы цифровых устройств. Функциональные узлы комбинационного типа. Интегральные запоминающие устройства.
курс лекций, добавлен 15.03.2022Понятие электроники как передачи, приема, обработки и хранения информации с помощью электрических зарядов. Проблема усилительного элемента для электрических устройств на заре развития электроники. Изобретение триода, технология изготовления транзисторов.
лекция, добавлен 30.07.2013Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Классификация элементов и узлов ЭВМ. Комбинационные схемы. Принципы построения и работы комбинационного сумматора. Схемы с памятью. Схемы синхронных и асинхронных RS-тригтеров. Сумматоры комбинационного типа. Проблемы развития элементной базы.
реферат, добавлен 26.11.2008Исторические вехи становления электроники как технической науки. Прогрессивное значение изобретения радиолампы. Основная конструкция транзистора. Сплавная и диффузионная технология производства полупроводникового триода. Цикл изготовления микросхемы.
лекция, добавлен 26.10.2013Пассивные устройства и полосковые линии передачи. Основные способы получения топологии элементов МЭУ СВЧ. Метод вакуумного испарения и ионно-плазменного распыления. Технология изготовления полосковых СВЧ плат. Тонкопленочная и толстопленочная технология.
презентация, добавлен 10.08.2015Методы создания нового класса аналоговых функциональных элементов на основе многослойных неоднородных резистивно-емкостных структур с распределенными параметрами. Разработка и апробация устройств обработки информации, идентификации и управления.
автореферат, добавлен 14.02.2018Методы очистки подложек интегральных схем и деталей электровакуумных приборов. Технология получения и изучения свойств тонких пленок. Изготовление оксидного катода и его испытание в разборной лампе. Технология люминофоров и люминесцирующих покрытий.
методичка, добавлен 27.10.2017Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015- 20. Электроника
Определение предмета и метода исследований электроники как части электротехники, использующей управление потоком электронов и заряженных частиц в электронных элементах. Природа физических процессов в электровакуумных и полупроводниковых устройствах.
презентация, добавлен 05.04.2020 Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Физические основы полупроводников. Структура и принцип действия транзистора. Применение тиристора в управляемом выпрямителе. Устройства промышленной электроники. Логические функции и логические схемы. Трехразрядный двоичный счетчик на вычитание.
учебное пособие, добавлен 05.07.2013Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011- 24. Технология ADSL
Технология асимметричной цифровой абонентской линии (ADSL - Asymmetric Digital Subscriber Line): общее описание технологии, области применения, проблемы, связанные с ее применением. Технологические характеристики оборудования ADSL компании "Алкатель".
реферат, добавлен 16.02.2012 Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015