Изучение зонной энергетической структуры через собственное или фундаментальное поглощение света в полупроводниках. Построение зависимости сопротивления от температуры для металла и полупроводника
Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
Подобные документы
Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Определение сущности взаимодействия света с твердым телом. Применение закона Бугера-Ламберта для определения величины интенсивности поглощенного излучения. Формирование энергетического спектра электрона в периодическом потенциальном поле решетки.
статья, добавлен 30.11.2018Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Определение ширины запрещенной зоны германия на основании измерений температурной зависимости электропроводимости. Вид лабораторной установки. Результаты измерений и вычислений. Зависимость электропроводимости материала от температуры. Пример расчетов.
лабораторная работа, добавлен 26.12.2014- 6. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.
лабораторная работа, добавлен 23.03.2014 История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Обзор особенности электропроводности твердых тел. Измерение зависимости электропроводности германия и меди от температуры, определение ширины запрещенной зоны германия, температурного коэффициента удельного сопротивления меди и длины свободного пробега.
лабораторная работа, добавлен 24.06.2016Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015Особенности методики измерения температурной зависимости факторов эффективности поглощения тонкопроволочных платиновых болометров для Е- и Н-поляризаций излучения с учетом неравномерности распределения падающей интенсивности. Излучение неодимового лазера.
статья, добавлен 25.03.2016Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Переходы электронов между стационарными состояниями в кристалле под действием электромагнитного излучения. Собственное поглощение света. Уравнение Максвелла при отсутствии сторонних полей и объемных зарядов. Поглощение света решеткой, электронами.
курсовая работа, добавлен 13.07.2017Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Изучение зависимости электрического сопротивления различных металлов, полупроводников и приборов на их основе от температуры. Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля. Понятие твердотельных проводников.
лабораторная работа, добавлен 08.03.2014Понятия абсорбции, люминесценции, теплового излучения, дисперсии, коэффициента рассеивания. Закон Бугера-Бэра. Схема монохроматора. Формулы погрешностей косвенных измерений интенсивности света. Расчёт коэффициента поглощения света при 2000 делениях.
лабораторная работа, добавлен 15.10.2017Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Особенности обратного тока варизонной pn-структуры, в которой ширина запрещенной зоны возрастает с увеличением расстояния. Предсказание возможности возникновения в случае больших градиентов ширины запрещенной зоны на ветви вольт-амперной характеристики.
статья, добавлен 23.06.2013Описание установки для исследования спектров поглощения. Исследование с помощью установки и расчет зависимости коэффициента поглощения жидкости от длины волны по формуле. Сведение результатов измерений и расчета в таблицу. Построение графика зависимости.
лабораторная работа, добавлен 01.12.2015Определение энергии активации проводимости. Конденсатор С, присоединённый к термометру с помощью проводов со фторопластовой оболочкой. Построение графика зависимости углового коэффициента. График линеаризации, показатели энергии активации диэлектрика.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2013Этапы измерения коэффициента поглощения исследуемого образца в зависимости от длины волны (или энергии падающего излучения является стандартной для любой типа спектроскопии). Отличительные особенности спектрометра и спектрографа, условия их применения.
статья, добавлен 26.10.2018Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Сущность электрического тока, магнитное поле. Действие тока, расчет его силы и плотности. Определение природы носителей тока в металлах. Электронная теория проводимости металлов. Зависимость сопротивления полупроводников и диэлектриков от температуры.
презентация, добавлен 21.06.2016Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014