Квантово-хімічне моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)

Процеси адсорбції, десорбції, міграції атомів та іонів фосфору, молекул (SiH4) на поверхнях Si(100) і Ge(100) за допомогою квантово-хімічного моделювання. Розрахунок енергетичних характеристик та квазірівноважних станів системи "поверхня-адсорбат".

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.