Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs

Дослідження впливу рідкісноземельних й ізовалентних елементів на властивості епітаксійних шарів. Аналіз можливості керування концентрацією вільних дірок. Спрощення технології нарощування шарів гетероструктур інжекційних напівпровідникових лазерів.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.