Моделирование процесса ионной имплантации металлической наночастицы в диэлектрической матрице
Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.
Подобные документы
Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Динамическое моделирование сложных радиоэлектронных систем. Изучение понятия о печатных платах и печатных проводниках, история создания, область применения, виды и особенности. Описание программы PSPICE. Понятие перекрестных помех. Моделирование схемы.
курсовая работа, добавлен 03.01.2021Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Использование тепловизионных приборов наблюдения для решения задач военного назначения. Разработка модели процесса формирования сигнала на выходе микроболометрической матрицы тепловизионного прибора, учитывающей параметры объекта, фона, атмосферы и др.
статья, добавлен 26.01.2017Определение, отличительные черты и моделирование принципиальной схемы устройства. Сущность и специфика процесса проведения исследования характеристик схемы, её структура. Описание анализа переходных процессов, измерение частоты источника сигнала.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2015Использование системы кохлеарной имплантации при потере слуха IV степени и более. Состав и порядок работы кохлеарного импланта. Показания и факторы, определяющие эффективность кохлеарной имплантации. Анализ современных методов реабилитации потерь слуха.
реферат, добавлен 13.10.2016Расчет зависимости волнового сопротивления от ширины микрополосковой линий. Определение эффективной диэлектрической проницаемости подложки. Расчет коэффициента связи шлейфного направленного ответвителя. Моделирование фазовращателя типа "Мостовая схема".
лабораторная работа, добавлен 13.09.2016Моделирование распределения температуры в структуре TiO2/проводящий оксид/стеклянная подложка от мощности лазерного излучения. Определение основных условий эффективного перехода металлоорганического прекурсора TiO2 в кристаллическую фазу анатаза TiO2.
статья, добавлен 29.07.2017Вторично-электронные процессы обычной эмиссии электронов как нарушение фокусирующего действия симметрично-азимутальных электрических полей на оси ускорителя. Условия развития мультипакторных разрядов в различных областях линейного ускорителя ионов.
статья, добавлен 14.07.2016Обнаружение эффекта декапсуляции нанокомпозитнных липосомальных капсул, содержащих анизотропные наночастицы золота, вызванного воздействием на них ультракоротких электрических импульсов. Описание механизма разрушения липосомальной оболочки капсул.
статья, добавлен 05.11.2018Моделирование и оптимизация параметров автоматической линии на ранних стадиях разработки методами теории массового обслуживания. График зависимости эффективности автоматической линии от ёмкости накопителя. Расчёт основных показателей работы линии.
курсовая работа, добавлен 21.02.2014Видимый свет как электромагнитное излучение в диапазоне длин волн от 380 до 780 нм. Особенности полунатурного моделирования процесса обнаружения воздушных целей в искусственных помехах, воздействующих на ОЭС. Анализ основных видов искусственных помех.
статья, добавлен 27.02.2019Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Исследование основных параметров статистики распределения на выходе последетекторной квазиоптимальной системы межпериодной обработки при заданной корреляционной матрице помехи. Структурная схема и характеристика последетекторной межпериодной обработки.
статья, добавлен 30.10.2018Повышение устойчивости и надёжности радиосвязи в широкой полосе частот для управления информацией между роботизированными комплексами. Моделирование несимметричной вибраторной антенны на базе диэлектрической цилиндрической линзы с осевым отверстием.
статья, добавлен 31.10.2022Графовый рёберный спектр процесса объектно-технического проектирования оптико- и лазерно-электронных приборов. Построение спектра на основе матрицы смежности полного графа. Многочлен определителя характеристической матрицы, число прямых и обратных связей.
статья, добавлен 07.12.2018История развития, классификация, обозначение, маркировка, устройство и работа черно-белого кинескопа. Способы изменения угла отклонения луча в электронно-лучевой трубке. Применение принципа "ионной ловушки". Другие виды электронно-лучевых приборов.
реферат, добавлен 04.06.2019Структурная матрица сети. Возможные пути от узла коммутации. Емкость системы нумерации с постоянным междугородным кодом. Изменения в матрице маршрутов при выходе из строя ветви. Построение плана распределения каналов при условии кратчайших путей.
контрольная работа, добавлен 30.03.2018Построение схемы в Micro-Cap, особенности моделирования схемы в частотной области. Оценка влияния добротностей катушек индуктивности на параметры реальной амплитудно- частотной характеристики. Характеристика процесса получения матрицы главных сечений.
курсовая работа, добавлен 06.12.2016Исследование дефектов, возникающих в кадровой ПЗС-матрице при облучении высокоэнергетичными протонами. Темновой ток в вертикальном регистре в кадровом режиме. Гистограмма нормированной интенсивности центров повышенной генерации в вертикальных регистрах.
статья, добавлен 07.11.2018Возможности получения информации о характеристиках цели по пространственно-временной матрице интенсивностей сигналов, принимаемых в совмещенном и вынесенном пунктах с использованием корреляционной теории. Анализ спектральных свойств флуктуирующей цели.
статья, добавлен 14.08.2016Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.
лабораторная работа, добавлен 14.11.2013Описание способов и результатов моделирования и оптимизации характеристик 12-метрового миллиметроволнового изображающего радиотелескопа системы Кассегрена для решения солнечных задач. Использование двухрядной приемной матрицы, развернутой по координате.
статья, добавлен 30.10.2018Энергомощностные и температурные характеристики поведения структуры в диапазоне длительностей однократного импульсного воздействия в зависимости от конструктивно-технологических параметров. Моделирование физических процессов в биполярных структурах.
статья, добавлен 03.11.2018