Технология производства полупроводниковых материалов
Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
Подобные документы
Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021- 30. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
учебное пособие, добавлен 10.04.2015Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
лабораторная работа, добавлен 16.06.2017Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Снижение расходов полупроводниковых дорогостоящих материалов в солнечных элементах. Концентрирование солнечного излучения. Создание концентраторных батарей с плоскими фоклинами с улучшенными удельными фотоэлектрическими и оптическими параметрами.
статья, добавлен 19.06.2018Обзор электронных полупроводниковых приборов, используемых в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых, цифровых интегральных микросхем, применяемых в системах управления.
статья, добавлен 21.10.2016Корреляция между неоднородно распределенными в пространстве локализованными состояниями и особенностями спектра излучения в полупроводниковых эпитаксиальных структурах a3b5. Влияние миграции электронных возбуждений на формирование спектра люминесценции.
автореферат, добавлен 02.03.2018Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019- 44. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Создание физической модели нелинейной колебательной системы релаксационного типа на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур. Объяснение экспериментальных закономерностей, характеризующих процессы в нелинейных колебательных системах.
автореферат, добавлен 27.07.2018Изложение методов определения тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь. Характеристика проводниковых (алюминий и свинец), полупроводниковых (карбид кремния и варистор) и магнитных материалов (железо технически чистое и феррит 1БИ).
контрольная работа, добавлен 11.05.2014Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Обоснование эффективности использования в качестве сенсоров при детектировании 3,4-бензпирена, так называемых нанофотонных устройств на базе полупроводниковых наноразмерных материалов – квантовых точек (КТ), выполняющих роль детекторных элементов сенсора.
статья, добавлен 19.06.2018Описания использования сплавов на основе благородных металлов, порошковых магнитотвердых материалов, ферритов с температурой Кюри. Изучение процесса изготовления эластичных и пластичных магнитов. Анализ компонентов низкочастотных магнитомягких материалов.
реферат, добавлен 01.02.2011- 50. Вычисление диэлектрических потерь. Понятие и свойства проводников. Расчет показателей намагничивания
Определение тока утечки, мощности потерь и удельных диэлектрических потерь при включении конденсатора на постоянное напряжение. Рассмотрение свойств проводниковых и полупроводниковых материалов. Построение основной кривой намагничивания материала.
контрольная работа, добавлен 26.03.2015