Історичні передумови та аналіз розвитку фотоелектрики у 50-х роках ХХ століття
Передумови інтенсивного розвитку фотоелектрики у 50-х рр. ХХ ст. Досягнення в розробці кремнієвих транзисторів. Вирішення конструктивно-технологічних питань К. Фуллером, Д. Пірсоном та Д. Чапіном у створенні фотоелектричних кремнієвих перетворювачів.
Подобные документы
Рекомбінаційні параметри у пластинах кремнію в залежності від їх термічної передісторії високотемпературних обробок. Оптимізація технологічних процесів виготовлення сонячних елементів і фотоелектричних модулів з використанням кремнієвого матеріалу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Аналіз сучасних конструктивних методів підвищення граничної напруги та області безпечної роботи потужних кремнієвих приладів. Дослідження статичних та динамічних параметрів і області безпечної роботи конструкцій потужних біполярних транзисторів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка нових інтегральних мікроелектронних багатосенсорних кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією (КСДІ). Створення вимірювальних перетворювачів неелектричних величин з широкими функціональними можливостями. Контроль товщини тонких плівок.
автореферат, добавлен 29.08.2014Історико-правові передумови виникнення міжнародної організації морського супутникового зв’язку (ІНМАРСАТ), періодизація її розвитку. Дослідження умов створення міжнародної організації міжнародним співтовариством для поліпшення умов безпеки мореплавства.
статья, добавлен 02.02.2023Класифікація та умовні позначення транзисторів. Принцип роботи різних типів цих пристроїв. Перспективи розвитку напівпровідникової промисловості. Переваги і недоліки польових транзисторів. Розрахунок основних електричних параметрів транзистора КП301.
курсовая работа, добавлен 20.12.2013Аналіз основних етапів розвитку поштової справи в Україні через призму основних інформаційних подій. Історичні етапи суспільного розвитку, інформаційних революцій, що пов’язані з кардинальними змінами у сфері виробництва, обробки і обігу інформації.
статья, добавлен 11.04.2018Основні параметри і властивості германієвих і кремнієвих діодів та дослідження їх вольт-амперних характеристик. Напівпровідниковий діод як електроперетворюючий напівпровідниковий прилад з дірково-слектронним переходом і двома металевими виводами.
учебное пособие, добавлен 04.11.2015Теоретичні основи і принципи побудови нового класу електромеханічних перетворювачів з масивним ротором, де передбачено використання дисипативної складової енергії активних частин в технологічних процесах. Вивчення процесів утворення вищих гармонік.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження умов переносу нерівноважних дірок і стабілізації процесу формування макропор протягом електрохімічного травлення кремнієвих пластин при зона-зонному освітленні. Вивчення структури, хімічного складу та фотолюмінесценції поверхні макропор.
автореферат, добавлен 24.06.2014Створення, розвиток і впровадження в промисловість планарной технології кремнієвих ІМС. Використання окисленої поверхні кремнію. Процес окислення поверхні напівпровідникових пластин. Параметри якості діелектричних плівок. Методи нанесення тонких плівок.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Чисельне дослідження особливостей характеристик арсенід-галієвих польових транзисторів Шоткі в області входження в перенапружений режим, включаючи пробій. Дослідження впливу різних режимних і конструктивних параметрів транзисторів на його характеристики.
автореферат, добавлен 26.02.2015Розробка нових підходів до конструювання та технології фотодіодів підвищеної надійності. Підвищення надійності p-i-n фотодіодів за рахунок ізоляції фоточутливого елементу та його охоронного кільця областю p+- типу від периферії кристалу фотодіоду.
автореферат, добавлен 31.01.2014Аналіз методики розрахунку резонансних частот і чутливості асиметричних біморфних випромінюючих п’єзокерамічних перетворювачів. Дослідження впливу електромеханічного негативного зворотного зв’язку на амплітудно-частотні характеристики перетворювачів.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розробка моделей ємнісних перетворювачів для визначення товщини в часовому домені. Аналіз основних переваг таких засобів вимірювання, схеми їх застосування. Методика вибору вимірювального конденсатора в якості первинного сенсора для даних перетворювачів.
статья, добавлен 27.07.2016Передумови і чинники формування та розвитку ринку Інтернет-комунікацій в Україні. Ключові каталізатори розвитку ринку Інтернет-комунікацій. Посилення присутності в регіонах. Замовлення на брендингову рекламу від он-лайнових та офф-лайнових агентств.
реферат, добавлен 14.06.2013Методи ізоляції елементів напівпровідникових пластин кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією, контроль їх товщини. Фізико-механічні характеристики пластин в процесі формоутворення. Розробка комп'ютерної моделі автоматичного операційного контролю.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка математичних моделей для опису механічних коливальних процесів паяних силових напівпровідникових приладів. Дослідження механічних динамічних характеристик паяних силових кремнієвих діодів та тиристорів, які широко застосовуються в електротехніці.
автореферат, добавлен 23.11.2013Порівняльна оцінка режимів роботи електромагнетних перетворювачів. Метод аналізу режимів роботи напівпровідникових вентильних електромагнетних перетворювачів напруги. Застосування тиристорних перетворювачів напруги для керування мотором постійного струму.
автореферат, добавлен 29.10.2015Підвищення чутливості давачів як головна задач вимірювальної техніки. Аналіз можливості підвищення чутливості давача, утвореного комбінацією двох каскадів багатопараметричних узагальнених перетворювачів імітансу та імітансних вимірювальних перетворювачів.
статья, добавлен 26.07.2016Розгляд схеми N-розрядного паралельного АЦП, переваги та недоліки його використання. Аналіз характеристик сучасних паралельних АЦП. Залежність відносного значення динамічної похибки від зміни частоти вхідного сигналу паралельних цифрових перетворювачів.
статья, добавлен 18.02.2016Розгляд розділу такої галузі метрології, як діелькометрія. Аналіз її фізичних підстав, а також сучасного стану та перспектив. Пропонування шляхів її розвитку. Огляд кола питань застосування діелектричних вимірювань, оцінка їх переваг та недоліків.
статья, добавлен 14.09.2016Підвищення достовірності контролю параметрів тахометричних перетворювачів в динамічному режимі їх роботи. Структурно-алгоритмічна організація та метрологічні характеристики вимірювальних каналів ІВС контролю параметрів тахометричних перетворювачів.
автореферат, добавлен 27.08.2013Розробка методики вимірювання параметрів потужних транзисторів з високою рухливістю електронів. Оцінка основних причин зміни параметрів вольтамперних та шумових характеристик транзисторів і можливостей управління ними при опроміненні гамма-квантами.
автореферат, добавлен 28.10.2015Аналіз радіовимірювальних перетворювачів температури, тиску, магнітного поля, оптичного випромінювання та систематизація відомих теоретичних підходів, покладених в основу їх побудови. Розроблення математичних моделей перетворювачів, та їх перевірка.
автореферат, добавлен 24.06.2014Розрахунок структурної схеми радіо-передавального пристрою. Наявні варіанти вибору транзисторів та каскадів підсилювачів. Схема узгодження між каскадами транзисторів і розрахунок потужності яка на ній розсіюється. Технічні вимоги до джерел живлення.
контрольная работа, добавлен 12.06.2013