Р-п переход (полупроводниковый диод)

Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.

Подобные документы

  • Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.

    лекция, добавлен 29.10.2013

  • Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.

    лабораторная работа, добавлен 07.02.2016

  • Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.

    контрольная работа, добавлен 08.06.2012

  • Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.

    курсовая работа, добавлен 24.12.2015

  • Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.

    реферат, добавлен 23.05.2016

  • Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.

    методичка, добавлен 05.02.2015

  • Сущность полупроводника как вещества, обладающего электрическими свойствами, промежуточными между свойствами металлов и диэлектриков. Включение p-n-перехода под прямое и обратное напряжение. Полупроводниковый диод, его свойства и область применения.

    курсовая работа, добавлен 22.10.2017

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.

    реферат, добавлен 05.11.2017

  • Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.

    лабораторная работа, добавлен 25.06.2015

  • Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.

    презентация, добавлен 09.07.2015

  • Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.

    контрольная работа, добавлен 15.10.2014

  • Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.

    курсовая работа, добавлен 23.07.2010

  • Классификация веществ по проводимости: проводники, полупроводники, диэлектрики. Движение электронов при увеличении температуры и воздействии на них электрического поля. Характеристика полупроводникового диода, его основные свойства и применение.

    презентация, добавлен 19.02.2016

  • Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.

    лекция, добавлен 23.06.2013

  • Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.

    презентация, добавлен 23.06.2013

  • Принцип работы лазерного диода. Определение распределения Больцмана. Особенности конструкции кристалла полупроводника лазерного диода. Алгоритм подключения лазерного диода. Единица измерения длины волны, которую может продуцировать лазерный диод.

    реферат, добавлен 22.09.2017

  • Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.

    реферат, добавлен 27.01.2011

  • Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.

    методичка, добавлен 21.10.2014

  • Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.

    контрольная работа, добавлен 03.09.2012

  • Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".

    реферат, добавлен 31.01.2015

  • Основные свойства магнитного поля. Принцип действия и устройство трансформатора. Выбор проводов и кабелей. Конструкция, режимы работы и назначение полупроводникового диода. Виды стабилизаторов напряжения. Определение эквивалентного сопротивления цепи.

    контрольная работа, добавлен 06.04.2015

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.

    контрольная работа, добавлен 22.02.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.