Разработка конструкции кристалла полупроводниковой интегральной микросхемы
Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
Подобные документы
Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Расчёт коэффициента заполнения печатной платы. Обоснование выбора резистора, конденсатора, диодов, микросхемы. Установка элементов с аксиальными выводами в двухпалатной конструкции. Способы крепления микросхем. Разработка трассировки и компоновки платы.
курсовая работа, добавлен 08.08.2013Характеристика эскизов диффузионных резисторов на основе базовой и эмиттерной областей, которые сформированы по планарно-эпитаксиальной технологии. Контактная площадка интегральной полупроводниковой микросхемы – металлизированный участок на кристалле.
курсовая работа, добавлен 18.03.2020Выбор и обоснование применяемых материалов и компонентов конструкции. Конструктивный расчет терморезистора и термонезависимого сопротивления. Разработка топологии кристалла. Разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Расчет физико-топологических параметров компаратора напряжений. Его моделирование в среде OrCAD. Определение размеров основных элементов. Технология производства D-триггера. Разработка топологического чертежа кристалла, схемы электрической принципиальной.
курсовая работа, добавлен 27.09.2017Устройство для оперативной проверки работоспособности интегральной микросхемы (ИМС) по принципу "годен" - "не годен". Микропроцессорный контроллер для тестирования ИМС. Выбор микропроцессора и элементов схемы. Подпрограмма тестирования микросхемы.
курсовая работа, добавлен 16.07.2009Методы компоновки ячеек в блоки. Обеспечение минимальной длины цепей электрической коммутации и нормальных тепловых режимов блоков и разработка или выбор БНК блока. Вариант блока разъемной конструкции. Применяемая элементная база и число элементов.
реферат, добавлен 19.09.2010Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Расчет элементов принципиальной схемы и амплитудно-частотной характеристики усилителя. Выбор навесных и пленочных элементов. Этапы изготовления усилителя в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.01.2015Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS". Топологии микросхемы, расчет геометрических размеров элементов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Создание интегральной микросхемы, её значение и применение. Описание и характеристика электрической принципиальной схемы. Сущность счётчика, его основные параметры. Расчет тепловых процессов и надежности устройства, разработка и компоновка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Назначение корпуса интегральной микросхемы (ИМС). Выводы корпусов ИМС, особенности их монтажа. Схема размещения корпусов ИМС на печатной плате, ее зависимость от конструкции платы и компоновки на ней элементов. Бескорпусные и корпусные микросхемы.
отчет по практике, добавлен 19.12.2016Разработка топологического чертежа микросхемы усилителя промежуточной частоты. Расчет мощности, длины резистивной пленки, площади, коэффициента нагрузки резистора; максимальной удельной емкости, длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора.
курсовая работа, добавлен 28.02.2010Определение требований устойчивости к механическим и климатическим воздействиям. Выбор элементной базы и предварительная компоновка конструкции электронного устройства. Разработка конструкции печатной платы и узла. Расчет нагрева элементов печатной платы.
курсовая работа, добавлен 05.02.2015Анализ схемы электрической принципиальной. Выбор и описание конструкции устройства, вариантов установки элементов и формовки выводов, типа конструкции, габаритных размеров и класса точности печатной платы, материалов и покрытий, монтажных отверстий.
курсовая работа, добавлен 06.10.2017Выбор комплектующих элементов, материалов и покрытий для усилителя СВЧ-сигнала. Разработка электрической принципиальной схемы устройства. Разработка конструкции микрополосковой платы и тонкопленочной микросборки. Определение теплового режима микромодуля.
курсовая работа, добавлен 24.01.2016Разработка и описание электрической схемы электронного усилителя с полосой рабочих частот 400 Гц–35 kГц. Характеристика работы усилителя вторичного источника электропитания. Процесс и стадии выбора, а так же анализ расчёта элементов схемы ЭУ и ИП.
дипломная работа, добавлен 29.01.2013Современные конструкции гибких носителей для монтажа БИС. Метод переноса объемных выводов. Анализ конструкции экрана с применением высоковольтного драйвера на полиимидном носителе. Разработка конструкции для крепления кристалла при ультразвуковой сварке.
дипломная работа, добавлен 26.04.2009Расчёт тонкоплёночных резисторов и конденсаторов. Определение минимальной толщины диэлектрического слоя и оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки. Выбор материала и транзистора. Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя.
курсовая работа, добавлен 16.08.2014Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013Характеристика управляющей и силовой частей детекторного приемника, его электрическая принципиальная схема. Расчет элементов микросборки, основные параметры тонкопленочных резисторов, разработка топологии, конструкции и способы охлаждения системы.
контрольная работа, добавлен 28.04.2011Обзор процесса монтажа "flip-chip", присоединения полупроводникового кристалла интегральной схемы на подложку активной стороной вниз. Изучение критериев миниатюризации, герметизации при монтаже, нанесения адгезива, установки кристалла, плазменной чистки.
реферат, добавлен 23.12.2011Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011