Influence of stress-dependent surface generation of interstitials on stacking fault growth and dopant diffusion in silicon

Main calculation of activation volumes for interstitials and vacancie. Diffusion equations for point defects. Surface generation and recombination of point defects. Simulation of stacking fault growth. Simulation of stress-nediated dopant diffusion.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.