Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках
Виникнення гальваномагнітних явищ, найважливішими з яких є ефект Холла. Здійснення перерозподілу електричних зарядів у напівпровіднику. Визначення середнього значення дрейфової швидкості носіїв потенціалу. Аналіз розсіювання на заряджених домішках.
Подобные документы
Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Встановлення дії структурних дефектів росту на транспортні процеси та механізми розсіювання носіїв струму в тонких плівках халькогенідів свинцю. Вплив міжфазних і міжзеренних меж та дислокацій невідповідностей на механізми розсіювання носіїв струму.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розвиток теорії повздовжніх флуктуацій струму в анізотропних напівпровідниках і встановленні на її основі головних закономірностей сумісної дії гріючого носії електричного та класично сильного магнітного полів і температури на спектральну щільність шумів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
конспект урока, добавлен 03.04.2014Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020Визначення залежності термоелектрорушійної сили від різниці температур металевих контактів і величини коефіцієнта опору провідника. Концентрація вільних носіїв заряду в напівпровідниковому монокристалі. Методи визначення величин похибок при вимірюванні.
методичка, добавлен 23.07.2017Розрахунок вільних і нестаціонарних вимушених коливань стрічкових носіїв з застосуванням інтегральних рівнянь Вольтера другого роду. Розробка програмного забезпечення для розрахунку частотних характеристик стаціонарних і нестаціонарних коливань стрічки.
автореферат, добавлен 26.02.2015Удосконалення методик отримання плівок металів із відтворюваними структурою та електрофізичними властивостями. Дослідження закономірностей змін електричних властивостей тонких плівок під впливом поверхневого і зерномежового розсіювання носіїв струму.
автореферат, добавлен 05.08.2014Визначення умов існування електричного струму. Класифікація речовин за здатністю проводити електричні заряди. Вивчення електричних властивостей індію. Розгляд змісту електронної теорії провідності. Визначення відношення заряду до маси носіїв заряду.
практическая работа, добавлен 08.04.2020Фазовий склад і структура плівок, вирощених із парової фази. Механізми деградації електричних властивостей плівки. Встановлення залежності типу провідності і концентрації носіїв струму. Аналіз профілів властивостей плівок різної структурної досконалості.
автореферат, добавлен 14.07.2015Визначення положень кристалохімічної і термодинамічної моделі парофазної епітаксії плівок халькогенідів свинцю. Аналіз експериментальних досліджень для з'ясування механізмів впливу атмосфери кисню на концентрації носіїв струму і дефектів у плівці.
автореферат, добавлен 15.07.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Параметри елементів та режиму. Аналіз статичної стійкості електричної системи електропередач. Визначення ударного струму короткого замикання та найбільше діюче значення струму. Аналіз електромагнітних перехідних процесів при поперечній несиметрії.
курсовая работа, добавлен 21.08.2012Вивчення структури енергетичного спектра носіїв у кристалі. Фізичні процеси, що відбуваються в тунельних електроно-діркових переходах. Розрахунок часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпрвідникових приладах. Дослідження термоелектронних явищ.
методичка, добавлен 18.04.2014Дослідження впливу поверхневого та зерномежового розсіювання носіїв струму на перенос заряду в плівках. Розробка і вдосконалення методик керування кінетичними коефіцієнтами плівок за допомогою зміни товщини шару та середніх розмірів кристалітів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження потенціалу електричного поля в різних точках рідкого або газоподібного діелектрика методом електричного зонду. Роль атмосфери у формуванні приповерхневих явищ на Землі. Механізм виникнення електричних зарядів у атмосфері: феномен грози.
статья, добавлен 18.04.2024Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014