Расчет профиля легирования примесей эпитаксиально-планарных транзисторов
Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
Подобные документы
Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
статья, добавлен 03.11.2018Проектирование предварительного усилителя на ИМС. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор операционного усилителя, расчет элементов цепи ООС, выходных напряжений.
методичка, добавлен 04.04.2013Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Процесс разработки антенны радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания и допустимого коэффициента шума приёмника. Выбор промежуточных частот и средств обеспечения избирательности. Правила выбора и расчет параметров транзисторов радиотракта.
курсовая работа, добавлен 30.10.2013Построение структурной схемы приемника. Определение типа избирательных систем преселектора. Выбор типа транзисторов, селективных систем и схем каскадов тракта радиосигнала. Расчет полосы пропускания приемника. Выбор и расчет параметров блока детектора.
курсовая работа, добавлен 16.06.2015Структурная схема усилителя мощности. Применение трансформаторов в каскадах усиления мощности. Выходные каскады на комплементарных парах транзисторов. Расчет схемы усилителя низкой частоты. Расчет разделительных конденсаторов С1, С2 и резистора R2.
курсовая работа, добавлен 24.06.2015Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Расчет симметричного мультивибратора. Основные этапы техпроцесса изготовления печатной платы. Расчет затрат на опытно-конструкторские разработки, полной производственной себестоимости изделия (расчет расходов на изготовление), отпускной цены предприятия.
дипломная работа, добавлен 02.11.2014Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.
курсовая работа, добавлен 04.10.2012Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Особенность калькуляции усилителя мощности. Определение амплитудного значения коллекторного напряжения одного плеча. Расчет теплоотвода для транзисторов выходного каскада. Вычисление коэффициента нелинейных искажений и параметров цепи обратной связи.
курсовая работа, добавлен 23.06.2015Расчеты амплитудно-, частотно-модулированного и однополосного передатчиков, балансного модулятора, усилительно-умножительного тракта передатчика дециметрового диапазона. Покаскадный электрический расчет режимов транзисторов, согласующих цепей радиатора.
учебное пособие, добавлен 14.04.2013Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Рассмотрение принципа действия параболических зеркальных антенн. Расчет геометрических размеров и профиля зеркала. Выбор облучателя, расчет его геометрических размеров. Расчет диаграммы направленности параболической антенны. Обзор конструктивного чертежа.
курсовая работа, добавлен 16.06.2015