Полупроводниковые фотоприемники
Понятие и условия возникновения фоторезистивного эффекта в однородном полупроводнике при его освещении. Расчет проводимости канала поверхностной электропроводности. Основные параметры и характеристики фотоприемников, их применение в технике и энергетике.
Подобные документы
Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Виды пробоя диэлектриков, механизмы их протекания. Основные характеристики диэлектрических жидкостей. Область контакта двух полупроводников с различным типом проводимости, а также полупроводника и металла. Точечные и планарные полупроводниковые диоды.
контрольная работа, добавлен 31.01.2022Принцип действия, характеристики, параметры фотоприемников, их классификация и разновидности. Спектральная чувствительность данных устройств и факторы, влияющие на нее. Преимущества и недостатки фоторезисторов, способы изготовления, характерные свойства.
лекция, добавлен 17.08.2014Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Особенности распределения электропроводности насыпного октогена при нормальной детонации с высоким временным разрешением. Характеристика зоны электропроводности. Строение и структура зоны проводимости, состоящей из двух основных зон электропроводности.
курсовая работа, добавлен 04.01.2012Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Условия возникновения электрохромного эффекта. Особенность повышения ионной проводимости. Проведение исследования процессов окрашивания и обесцвечивания. Суть характеристического времени диффузии. Оптическое поглощение аморфной и кристаллической пленок.
контрольная работа, добавлен 09.03.2016Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Основные особенности электропроводности диэлектриков. Поляронный механизм электропроводности диэлектриков, определение понятия "полярон малого радиуса". Возможность ионного тока в твердых и жидких диэлектриках. Частотная зависимость проводимости.
лабораторная работа, добавлен 18.09.2015Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Понятие и особенности лазерного излучения, виды этих технологических процессов. Газовые и полупроводниковые лазеры, принцип работы магнитно-оптического накопителя. Применение лазеров в военной технике, голографические индикаторы на лобовом стекле.
реферат, добавлен 04.02.2013Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Исследование электрической проводимости газов. Изменение электропроводности под действием нагрева и ионизации. Изучение свойств ионной проводимости. Рассмотрение явлений искрового разряда и молнии. Принципы применения коронного и дугового разрядов.
реферат, добавлен 12.02.2015Назначение катодного листа диафрагменного электролизера. Влияние ориентации листа, перфорированного круглыми отверстиями, на величину поперечной проводимости. Определение поверхностной удельной проводимости перфорированного листа, степени её анизотропии.
статья, добавлен 08.02.2017Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Исследование электропроводности галогенидов аммония, фуллерена и графита. Выявление характерных особенностей барических и температурных зависимостей проводимости. Анализ влияния времени обработки давлением на установленные особенности электропроводности.
автореферат, добавлен 08.02.2013Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
курсовая работа, добавлен 29.05.2024Эффект Холла. Параметры и основные характеристики датчиков Холла, их изготовление и применение. Погрешности преобразователей, их динамические характеристики. Магниторезистивный эффект, метрологические характеристики, виды и применение магниторезисторов.
практическая работа, добавлен 17.02.2015Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Анализ влияния электропроводности верхней, нижней и боковых стенок канала на течение тока. Причины уменьшения сопротивления электрической цепи. Учёт неоднородности магнитного поля и зависимости скорости от числа Гартмана. Расчёт электромагнитных потерь.
статья, добавлен 25.06.2018Процесс возникновения фотогальванического эффекта (ФГЭ). Исследование линейного ФГЭ при межзонных центральных переходах в полупроводнике. Показано, что основным механизмом, приводящим к ФГЭ, является электростатическое взаимодействие электрона и дырки.
статья, добавлен 19.06.2018Роль поверхностных свойств в процессе возникновения нанокристалла и при его росте. Изучение эволюции поверхностных свойств при изменении размера и формы поверхности нанокристалла при различных температурах. Расчет удельной поверхностной энергии.
статья, добавлен 02.11.2018