Напівпровідникові прилади
Електрофізичні властивості напівпровідників. Створення малогабаритної електронної апаратури. Електронно-дірковий перехід. Утворенні ковалентних зв’язків, відповідно вільних носіїв зарядів для здійснення провідності. Поняття про біполярні транзистори.
Подобные документы
Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Виникнення гальваномагнітних явищ, найважливішими з яких є ефект Холла. Здійснення перерозподілу електричних зарядів у напівпровіднику. Визначення середнього значення дрейфової швидкості носіїв потенціалу. Аналіз розсіювання на заряджених домішках.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Дослідження розігріву електронно-діркової плазми електричним полем в процесі утворення термодифузійних автосолітонів в кристалах Ge і Si. Вплив типу провідності кристалу і властивостей приконтактних областей на поведінку плазми в електричному полі.
автореферат, добавлен 30.07.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010- 10. Вплив розмірних ефектів на електрофізичні властивості арсенідгалійових структур з глибокими центрами
Розробка моделі захоплення вільних носіїв з плівки на незаповнені глибокі центри в буферному шарі та підкладці. Вирази, що зв'язують низькочастотну та високочастотну бар'єрну ємність з параметрами прямої гетероструктури з селективним легуванням.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Дослідження впливу анізотропії та непараболічності енергетичних спектрів носіїв на термодинамічні характеристики електронів та дірок у телурі в області біполярної провідності. Характеристика температурних залежностей дрейфових рухливостей електронів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.
курсовая работа, добавлен 29.03.2011Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Поняття напівпровідників, рівняння Шредінгера для кристала. Зонний характер енергетичних спектрів електронів в кристалі. Адіабатичне та одноелектронне наближення, наближення сильнозв’язаних електронів. Зони Бріллюена, діркова провідність напівпровідників.
курсовая работа, добавлен 09.11.2014Напівпровідники - це речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками, їх застосування в електроніці. Носії заряду в напівпровіднику, вид електропровідності. Електронно-дирочний перехід.
реферат, добавлен 29.03.2010Вивчення впливу механізмів розсіювання носіїв струму в кристалах халькогенідів свинцю n-типу провідності на концентраційні та температурні залежності основних кінетичних параметрів. Освоєння технології синтезу та вирощування кристалів халькогенідів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Фізичні основи оптичного зв'язку. Випромінювальні напівпровідникові прилади та їх фізичні характеристики. Умови генерації світла лазерними діодами. Засоби модуляції оптичного випромінювання. Властивості поширення світла у світловодах, вікна прозорості.
методичка, добавлен 24.06.2014Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Вплив розмірних і температурних ефектів, складу, структурно-фазового стану, умов термообробки на електрофізичні та гальваномагнітні властивості одношарових плівок. Розробка методики одержання плівкових сплавів у широкому діапазоні концентрацій компонент.
автореферат, добавлен 30.07.2015Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014Сутність та характеристика мультивібраторів. Їх застосування в якості генераторів імпульсів, дільників частоти, формувачів імпульсів. Параметри елементів і схеми пристрою: біполярні транзистори, резистори, конденсатори, їх характеристики та класифікація.
курсовая работа, добавлен 06.12.2015Фазовий склад, структурний стан поверхні, особливості дифузійних процесів та електрофізичні властивості дво- та тришарових плівок на основі Cr, Cu і Sc (Со), їх аналіз. Моделювання термо- та тензорезистивних властивостей тришарових плівкових систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014