Электрификация машин
Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.
Подобные документы
Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Расчет и моделирование источника вторичного питания. Схемы на основе операционных усилителей, элементная база для усилителя. Осциллограмма входного и выходного сигнала. Развитие микросхем техники, проектирование полупроводниковых усилительных устройств.
курсовая работа, добавлен 10.05.2016- 53. Диоды и триоды
История создания и развития диодов и триодов. Их типы и назначение. Применение диодных выпрямителей и переключателей. Защита входов аналоговых и цифровых схем от перегрузки. Основные части электро-лучевой трубки. Устройство чёрно-белого кинескопа.
реферат, добавлен 31.05.2016 Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
автореферат, добавлен 18.11.2018Регулирование и улучшения качества выходного напряжения инверторов. Коммутационные процессы тиристора в инверторах, биполярного транзистора. Современные элементная база системы управления энергосберегающего инверторов. Разработка системы управления.
диссертация, добавлен 24.05.2018Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Расчет выходной ВАХ с учетом эффекта модуляции длины канала. Определение сопротивления канала в начале координат и граничной частоты усиления. Эффект влияния напряжения смещения подложки на пороговое напряжение. Выходные характеристики МОП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 03.10.2017Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.
лекция, добавлен 03.03.2017Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.
дипломная работа, добавлен 12.11.2014Ознакомление с классификацией усилителей. Анализ технических характеристик и электрических параметров исследуемого транзистора. Изучение структурной схемы каскада с общим эмиттером. Определение напряжение питания усилителя (по второму закону Киргофа).
контрольная работа, добавлен 07.01.2015Расчет усилителя мощности с токовым бустером, емкостей разделительных конденсаторов, фильтров в цепях питания. Оценка усилительных свойств выходного каскада. Логарифмическая амплитудно-частотная характеристика промежуточного каскада. Электрическая схема.
курсовая работа, добавлен 23.11.2013Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Амплитудные максимальные значения тока и напряжения транзисторов и приёмного устройства. Корректировка линии нагрузки. Расчет входного сопротивления каскада. Выбор операционного усилителя. Исчисление коэффициентов усиления тока, напряжения, мощности.
курсовая работа, добавлен 13.02.2012Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.
лабораторная работа, добавлен 06.07.2015Назначение и классификация выпрямительных устройств. Применение выпрямления электрического тока. Сварочные аппараты. Вентильные блоки преобразовательных подстанций систем энергоснабжения. Параллельное и последовательное соединение вентилей в схемах ВУ.
реферат, добавлен 31.08.2012Определение амплитуды напряжения и эффективное значение в нагрузке. Расчет мощности, потребляемого от источника и максимальное напряжение питания. Выбор типа операционного усилителя. Расчет параметров цепей отрицательной обратной связи. Оценка радиатора.
курсовая работа, добавлен 09.07.2013Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Определение параметров стабилитронов КС147А и Д814Б по рабочим ветвям вольтамперных характеристик. Момент электрического пробоя напряжения. Расчет значений дифференциального сопротивления, напряжения стабилизации и минимального тока стабилизации.
лабораторная работа, добавлен 19.04.2013Изучение основных отличий схемотехники компараторов от ОУ. Разработка структурной схемы устройства и описание его работы. Анализ погрешностей устройств и способов их уменьшения. Временные диаграммы сигналов на входе и выходе усилителя-ограничителя.
курсовая работа, добавлен 26.11.2012Определение понятия, изучение структуры и общая характеристика методов создания p-n-переходов. Определение основных параметров, характеристик и физических процессов, лежащих в основе образования и функционирования p-n-перехода. Процесс фотолитографии.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Исследование входных, передаточных операторных функций, схем транзисторов с обобщенной и избирательной нагрузкой. Расчет амплитудно- и фазо-частотных характеристик, на основе карты нулей полюсов с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
курсовая работа, добавлен 21.01.2017